Cesko.wiki CAS latence
Author
Albert FloresCAS latence (zkratka CL, též časování paměti) udává dobu, kterou je potřeba čekat před následujícím čtení z operační paměti v počítači. U asynchronních pamětí DRAM je doba uváděna v nanosekundách (absolutní čas). U synchronních SDRAM pamětí (např. DDR4) je udávána v cyklech taktovacích hodin, a proto je stejná čekací doba u vyšších frekvencí reálně kratší. Čím menší je hodnota CL, tím je práce s pamětí rychlejší a takový DIMM modul je obvykle i dražší.
Charakteristika
CAS latence je u synchronních RAM pamětí často udávána jedním číslem (např. CL9, CAS 9), ale může být udávána sérií čtyř čísel (např. +more CL9-9-9-24 nebo 16-20-20-38), přičemž jednočíselné vyjádření odpovídá první hodnotě vícečíselného vyjádření. Toto (první) číslo udává počet cyklů, za které jsou data požadovaná z určité adresy v RAM paměti reálně připravena na výstupní sběrnici pro odeslání k procesoru, a protože má největší vliv na výslednou rychlost RAM paměti, je často udáváno místo celé série čísel. Protože je latence uváděna v počtech hodinových cyklů, je reálná délka prodlevy závislá i na taktovací frekvenci paměti. Při zdvojnásobení taktovací frekvence způsobí dvakrát vyšší CAS latence stejně dlouhou prodlevu, ale výše taktované paměti budou rychlejší, protože za daný časový úsek provedou více přenosů dat. Proto přestože starší DDR3 paměti mívají typicky CL9 až CL11 a novější DDR4 paměti mívají CL15 a vyšší, je novější standard ve výsledku v přenosech dat rychlejší.
Význam jednotlivých čísel u vícečíselné CAS latence je:
# tCL (CAS Latency, Column Access Strobe) je přesný počet cyklů, za které paměť zpřístupní požadovaný sloupec v RAM (resp. umožní přečtení jednoho slova z paměti), když je správný řádek již otevřen # tRDC (RAS to CAS Delay, Row Address to Column Address Delay) je minimální počet cyklů, za které paměť zpřístupní řádek v RAM, když není žádný otevřen # tRP (Row Precharge Time) je minimální počet cyklů, za které paměť zpřístupní jiný řádek ve stejném sloupci RAM (uzavření nesprávného řádku) # tRAS (Row Active Time) je minimální počet cyklů, po které musí být řádek otevřen pro zpřístupnění dat z RAM (obvykle největší číslo), tj. +more uzavření nesprávného a otevření požadovaného řádku # tRC.
Zjištění latence
CAS latence je daná typem použitých čipů a garantovaná výrobcem. CAS latenci nelze svévolně měnit, protože by to mohlo vést k nesprávnému čtení z RAM paměti. +more Zobrazení aktuálně používaných CAS latencí je možné například v programu CPU-Z na kartě Memory, přičemž na kartě SPD (Serial Presence Detect) jsou k dispozici další výrobcem definované profily (při různých taktovacích frekvencích) uložené výrobcem v EEPROM paměti RAM modulu (podle standardu JEDEC, případně též XMP profily určené pro přetaktování jedním kliknutím v nastavení BIOS Setupu).
XMP
XMP (Extreme Memory Profiles) je technologie firmy Intel rozšiřující SPD umožňující výrobcům nabídnout vyšší výkonnost RAM pamětí za hranici definovaných JEDEC standardů. XMP 2. +more0 umožňuje pro DDR4 nabídnout navíc dva XMP profily, XMP 3. 0 umožňuje pro DDR5 nabídnout tři XMP profily. Čipové sady firmy AMD podporují XMP a nabízí i vlastní obdobnou technologii AMP (AMD Memory Profile, resp. X-AMP, RAMP).
[url=https://www.alza.cz/latence-ram-operacni-pameti]Latence RAM (operační paměti)[/url] na Alza.cz Kategorie:Počítačová paměť
Kategorie:Synchronizace
Kategorie:Číslicová technikaSDR PC100 100 MT/s 10 ns 100 MHz 10 ns 2 20 ns 50 ns 90 ns PC133 133 MT/s 7. 5 ns 133 MHz 7. 5 ns 3 22. 5 ns 45 ns 75 ns DDR DDR-200 200 MT/s 5 ns 100 MHz 10 ns 2 20 ns 35 ns 55 ns DDR DDR-266 266 MT/s 3. 75 ns 133 MHz 7. 5 ns 2. 5 18. 75 ns 30 ns 45 ns DDR DDR-333 333 MT/s 3 ns 166 MHz 6 ns 2 12 ns 21 ns 33 ns DDR DDR-333 333 MT/s 3 ns 166 MHz 6 ns 2. 5 15 ns 24 ns 36 ns DDR DDR-333 333 MT/s 3 ns 166 MHz 6 ns 3 18 ns 27 ns 39 ns DDR DDR-400 400 MT/s 2. 5 ns 200 MHz 5 ns 1. 5 7. 5 ns 15 ns 25 ns DDR DDR-400 400 MT/s 2. 5 ns 200 MHz 5 ns 2 10 ns 17. 5 ns 27. 5 ns DDR DDR-400 400 MT/s 2. 5 ns 200 MHz 5 ns 2. 5 12. 5 ns 20 ns 30 ns DDR
/
DDR2 DDR-400 /
DDR2-400 400 MT/s 2. 5 ns 200 MHz 5 ns 3 15 ns 22. 5 ns 32. 5 ns DDR
/
DDR2 DDR-400 /
DDR2-400 400 MT/s 2. 5 ns 200 MHz 5 ns 4 20 ns 27. 5 ns 37. 5 ns DDR
/
DDR2 DDR(2)-533 533 MT/s 1. 875 ns 266 MHz 3. 75 ns 3 11. 25 ns 16. 88 ns 24. 38 ns DDR2 DDR2-533 533 MT/s 1. 875 ns 266 MHz 3. 75 ns 4 15 ns 20. 63 ns 28. 13 ns DDR2 DDR2-533 533 MT/s 1. 875 ns 266 MHz 3. 75 ns 5 18. 75 ns 24. 38 ns 31. 88 ns DDR2 DDR2-667 667 MT/s 1. 5 ns 333 MHz 3 ns 3 9 ns 13. 5 ns 19. 5 ns DDR2 DDR2-667 667 MT/s 1. 5 ns 333 MHz 3 ns 4 12 ns 16. 5 ns 22. 5 ns DDR2 DDR2-667 667 MT/s 1. 5 ns 333 MHz 3 ns 5 15 ns 19. 5 ns 25. 5 ns DDR2 DDR2-667 667 MT/s 1. 5 ns 333 MHz 3 ns 6 18 ns 22. 5 ns 28. 5 ns DDR2 DDR2-800 800 MT/s 1. 25 ns 400 MHz 2. 5 ns 3 7. 5 ns 11. 25 ns 16. 25 ns DDR2 DDR2-800 800 MT/s 1. 25 ns 400 MHz 2. 5 ns 4 10 ns 13. 75 ns 18. 75 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-800
/
DDR3-800 800 MT/s 1. 25 ns 400 MHz 2. 5 ns 5 12. 5 ns 16. 25 ns 21. 25 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-800
/
DDR3-800 800 MT/s 1. 25 ns 400 MHz 2. 5 ns 6 15 ns 18. 75 ns 23. 75 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-800
/
DDR3-800 800 MT/s 1. 25 ns 400 MHz 2. 5 ns 7 17. 5 ns 21. 25 ns 26. 25 ns DDR2 DDR2-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 4 7. 5 ns 10. 31 ns 14. 06 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-1066
/
DDR3-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 5 9. 38 ns 12. 19 ns 15. 94 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-1066
/
DDR3-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 6 11. 25 ns 14. 06 ns 17. 81 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-1066
/
DDR3-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 7 13. 13 ns 15. 94 ns 19. 69 ns DDR2
/
DDR3 DDR2-1066
/
DDR3-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 8 15 ns 17. 82 ns 21. 57 ns DDR3 DDR3-1066 1066 MT/s 938 ps 533 MHz 1. 875 ns 9 16. 88 ns 19. 7 ns 23. 45 ns DDR3 DDR3-1333 1333 MT/s 750 ps 666 MHz 1.
Odkazy
Reference
Externí odkazy