DRAM

Paměťová buňka DRAM DRAM je asynchronní počítačové paměť, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (gate) tranzistoru typu MOSFET. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky - bitu.

V praxi byly asynchronní typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy SDRAM a DDR SDRAM (a jejich novějšími verzemi DDR2, DDR3, DDR4 a DDR5).

Charakteristiky

Paměť typu DRAM je destruktivní při čtení. To znamená, že při každém přečtení se data z paměti vymažou. +more Avšak data se ihned po přečtení uloží do vyrovnávací paměti, odkud se okamžitě zase obnoví. Uživatel tedy samozřejmě o svá data nepřijde. * I když je paměť připojena ke zdroji elektrického napětí, dochází v každé buňce neustále k pomalému vybíjení náboje. Proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, tj. opětovné nabíjení parazitní kapacity tzv. refresh. * Dynamické paměti se vyznačují šestinásobně větší hustotou zaznamenané informace oproti statickým pamětím SRAM což má za následek nižší cenu při vyšší kapacitě. * Na rozdíl od SRAM mají kvůli potřebě stálého obnovování nezanedbatelnou spotřebu energie i když se k nim nepřistupuje (nedochází k zápisu ani ke čtení). * Paměť má ve srovnání s SRAM delší přístupový čas. * Paměť vykazuje vážnou hardwarovou zranitelnost (umožňuje změnit bity v řádku paměti příliš častou změnou sousedních řádků).

Konstrukce

Princip operace čtení pro jednoduché pole 4x4. +more Výhoda DRAM spočívá v její konstrukční jednoduchosti: pouze jeden tranzistor a jeden kondenzátor pro jeden bit, namísto čtyř až šesti tranzistorů u SRAM. To umožňuje DRAM dosáhnout vysoké hustoty. Na rozdíl od flash paměti je DRAM volatilní (nestálá) a ztrácí tak rychle svá data, pokud je odstřižena od přísunu energie. Tranzistory a kondenzátory jsou extrémně malé - na jeden paměťový čip se jich vejdou miliardy. DRAM je většinou uspořádána do obdélníkové řady paměťových buněk (matice, šachovnice). Obrázek vpravo ukazuje jednoduchý příklad matice s 4 buňkami na výšku a 4 na šířku, moderní matice jich však mají tisíce.

Čtení a zápis

Čtení

Čtení z paměti neprobíhá tak, že bychom paměti udali adresu a ona vrátila bit, který je na ní uložen. Z technologických důvodů se čtení z paměti skládá ze 2 operací - dílčí čtení a dílčí zápis. +more Při dílčím čtení se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Při tom dochází k vymazání dat (viz výše). Přečtený řádek se poté obnoví dílčím zápisem, při kterém se informace uloží na své původní místo.

Zápis

I zápis do paměti se skládá ze stejných 2 operací jako čtení. Nejprve se provede dílčí čtení, při kterém se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. +more Poté se ve vyrovnávací paměti změní požadované bity, které se mají do paměti zapsat a následně se při dílčím zápisu celý řádek z vyrovnávací paměti obnoví na původní adresu.

Odkazy

Reference

Externí odkazy

[url=http://www. fi. +moremuni. cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM. HTML#DRAM/]Fakulta informatiky Masarykovy univerzity - Paměti[/url] * [url=http://poli. cs. vsb. cz/edu/arp/down/pameti. pdf]Paměti počítačů - studijní materiál pro předmět architektury počítačů na VŠB-TU Ostrava[/url].

Kategorie:Počítačová paměť Kategorie:Zkratky

Τύποι μνήμης RAM