Array ( [0] => 15480648 [id] => 15480648 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => RAM [uri] => RAM [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 0 [has_content] => 0 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => {{Různé významy|tento=druhu počítačových pamětí|stránka=Ram}} [1] => [[Soubor:Ddr2 800 mhz.jpg|300px|náhled|Paměť RAM DDR2]] [2] => '''RAM''' je v [[Informatika|informatice]] označení používané pro [[Polovodičová paměť|polovodičové paměti]] s [[Přímý přístup|přímým přístupem]] umožňující čtení i zápis.{{Citace monografie | [3] => titul = Všeobecná encyklopedie Nové Universum | [4] => vydavatel = Euromedia group k.s. | [5] => rok = 2003 | [6] => místo = Praha | [7] => vydání = 1 | [8] => isbn = 80-242-1069-X [9] => }}'''RAM''' (zkr. z angl. ''Random Access Memory''), polovodičová paměť s náhodným výběrem, pro záznam a čtení. [10] => [11] => V technické praxi si pod pojmem RAM představíme paměť s následujícími vlastnostmi: [12] => [13] => * elektronická polovodičová paměť [14] => * „téměř okamžité“ čtení i zápis jakékoli jednotlivé paměťové buňky [15] => * počet zápisů a čtení není omezený [16] => [17] => Paměť RAM si lze představit jako řadu očíslovaných (číslo je adresa buňky) buněk, z nichž každá obsahuje nějakou hodnotu (při velikosti buňky 1 [[bajt]] hodnotu 0–255). [18] => [19] => Velikost paměti (tj. počet paměťových míst nebo buněk) se nejčastěji udává v [[bajt|bajtech]]. Paměti současných počítačů, tabletů a chytrých telefonů mají velikost řádu gigabajtů. [20] => [21] => Paměť RAM se používá hlavně jako [[operační paměť]] [[počítač]]ů, tj. paměť, v níž jsou uloženy běžící [[Počítačový program|programy]] (včetně [[Operační systém|operačního systému]]) a jejich [[Data (počítače)|data]]. Obsah v současnosti používaných [[Polovodičová paměť|polovodičových]] RAM se po odpojení napájení vymaže (volatilita); proto data, která mají být zachována, je nutné ukládat na [[Pevný disk|disk]] nebo do [[Flash paměť|flash paměti]], která volatilní není. Díky nižší ceně a vyšší kapacitě se používají paměti dynamické, u kterých je informace uchována v podobě [[Elektrický náboj|elektrického náboje]] v [[kondenzátor]]u, a které je nutné periodicky obnovovat. Aby nedošlo ke smazání paměti [[Advanced Configuration and Power Interface#ACPI stavy|uspaného]] [[Notebook|přenosného počítače]], musí být paměť nejen napájena, ale musí být v činnosti obvod, který ji pravidelně obnovuje. [22] => [23] => == Terminologie == [24] => [25] => Zkratka '''RAM''' má v angličtině význam {{Cizojazyčně|en|''Random Access Memory''}}.{{Citace monografie [26] => | titul = LONGMAN Dictionary of Contemporary English [27] => | vydání = 3 [28] => | vydavatel = Pearson Educational Limited [29] => | rok = 2003 [30] => | místo = Harlow, Essex, England [31] => | isbn = 0-582-50666-2 [32] => }} Toto slovní spojení se často překládá do češtiny jako „paměť s náhodným přístupem“. Zatímco slovo {{Cizojazyčně|en|''random''}} má v angličtině význam „dějící se nebo vybraný bez nějakého určitého plánu, cíle nebo vzoru“ ({{Cizojazyčně|en|''happening or chosen without any definite plan, aim, or pattern''}}), slovo „náhodný“ vzbuzuje v češtině silnější představu [[Náhoda|nahodilosti]] než slovo „random“ v angličtině (vracená data nejsou náhodná, ale odpovídají obsahu požadované adresy, požadován však může být obsah libovolné adresy, přitom rychlost přístupu nezávisí na adrese). Proto někteří autoři dávají v češtině přednost spojení „paměť s libovolným přístupem“, „paměť s adresním přístupem“ nebo „paměť s přímým přístupem“.{{Citace monografie [33] => | příjmení = Minihofer [34] => | jméno = Oldřich [35] => | titul = ANGLICKO-ČESKÝ výkladový slovník výpočetní techniky [36] => | rok = 1990 [37] => | datum vydání = 1990-01-01 [38] => | vydavatel = SNTL [39] => | místo = Praha [40] => }} [41] => [42] => Význam zkratky '''RAM''' ({{Vjazyce2|en|''Random Access Memory''}}) popisuje pouze jednu z důležitých vlastností takto označovaných pamětí – možnost přístupu v libovolném pořadí.{{Citace monografie [43] => | příjmení = Krištoufek [44] => | jméno = Karel [45] => | odkaz na autora = [46] => | titul = Výpočetní a řídicí technika [47] => | datum vydání = 1982-01-01 [48] => | datum aktualizace = [49] => | datum přístupu = 2012-12-27 [50] => | vydavatel = SNTL [51] => | místo = Praha [52] => | jazyk = [53] => }} Proto se lze zvláště ve starší české technické literatuře{{Citace monografie | titul = Mikroprocesory a mikropočítače | příjmení = Dědina | jméno = Boris | příjmení2 = Valášek | jméno2 = Pavel | vydavatel = SNTL | rok = 1983 | místo = Praha }}{{Citace elektronické monografie | url = http://www.earchiv.cz/a92/a208c120.php3 | příjmení = Peterka | jméno = Jiří | titul = RAM nebo RWM? | datum přístupu = 2015-10-20}} setkat s označením '''RWM-RAM''', které vychází z původní názvoslovné normy ČSN 36 9001. Zkratka '''RWM''' (z anglického [[Read-Write Memory]]) znamená, že paměť umožňuje čtení i zápis. Tomuto přístupu nelze upřít systematičnost; opakem '''RWM''' je '''ROM''' – paměť jen pro čtení; alternativou k '''RAM''' je např. '''SAM''' – paměť se [[Sekvenční přístup|sekvenčním přístupem]] nebo '''CAM''' – [[obsahem adresovatelná paměť]] neboli [[Asociativní pole|asociativní paměť]]. [54] => [55] => Firma [[Intel]] však používá jednoduché označení '''RAM''' od prvních pamětí vyrobených v 70. letech 20. století.{{Citace monografie | titul = MCS-4 Four-bit Parallel Microcomputer Set | vydavatel = Intel Corporation | rok = 1974 | místo = Santa Clara, California | url = http://www.intel.com/Assets/PDF/Manual/msc4.pdf | datum přístupu = 2015-10-20}}{{Citace monografie | titul = 8080 Microcomputer Systems User's Manual | vydavatel = Intel Corporation | rok = září 1975 | místo = Santa Clara, California | url = https://archive.org/details/bitsavers_intelMCS80ocomputerSystemsUsersManual197509_43049640 | datum přístupu = 2015-10-20}} [56] => [57] => Norma ISO/IEC 2382-12:1988, která byla v roce 1993 přijata jako ČSN a nahradila původní normu ČSN 36 9001,[http://www.technicke-normy-csn.cz/369001-csn-36-9001-1_4_33200.html Počítače a systémy zpracování údajů. Názvosloví. Základní názvy] definuje '''RAM''' jako zařízení pro čtení a zápis. [58] => [59] => == Rozdělení RAM == [60] => [61] => Podle toho, zda paměť uchovává informace i po vypnutí napájení, dělíme paměti na: [62] => [63] => * volatilní – při vypnutí napájení se informace smaže; takto se chovají polovodičové paměti RAM [64] => * nevolatilní – informace vydrží vypnutí napájení; tuto vlastnost mají magnetické paměti (magnetické disky, paměti na tenkých vrstvách a v minulosti používané [[Feritová paměť|feritové paměti]] a bubnové paměti) [65] => [66] => [[Polovodič]]ové paměti RAM jsou rychlejší, ale jsou volatilní a jsou dražší než diskové paměti při přepočtu ceny za jeden [[bit]]. Používají se především jako [[Operační paměť|operační paměti]] [[počítač]]ů. Slouží tedy k uchování údajů, které počítač potřebuje pro zpracovávání právě prováděné úlohy. [67] => [68] => Údaje, které je potřeba uchovat i po vypnutí počítače, musí být uloženy do [[nevolatilní paměť|nevolatilní paměti]] – obvykle na [[pevný disk]]. Jeho nižší rychlost je kompenzována vyšší kapacitou a nezávislostí na napájení. [69] => [70] => == Statická a dynamická RAM == [71] => [72] => Polovodičové paměti RAM rozdělujeme podle technologie uchovávání informace na statické ([[SRAM]], {{Vjazyce2|en|''static RAM''}}) a dynamické ([[DRAM]], {{Vjazyce2|en|''dynamic RAM''}}). [73] => [74] => [[Soubor:SRAM Cell (6 Transistors).svg|náhled|vpravo|200px|Zapojení paměťové buňky pro 1 [[bit]] v paměti SRAM vyrobené technologií [[CMOS]].]] [75] => U statické RAM (SRAM) je paměťová buňka realizována jako [[Klopný obvod#Bistabilní klopný obvod (BKO)|bistabilní klopný obvod]]. Při použití technologie [[CMOS]] má téměř ideální vlastnosti – minimální [[příkon]], velkou šumovou odolnost a krátkou přístupovou dobu. Paměťová buňka se však v provedení [[CMOS]] obvykle skládá ze šesti tranzistorů (klopný obvod ze dvou invertorů po dvou tranzistorech a dva další tranzistory pro přístup), což způsobuje mnohem vyšší cenu na bit než u dynamické RAM. Proto se statické RAM používají pouze v nasazeních, kdy je požadována maximální rychlost a vyšší cena není kritická; příkladem je cache mezi procesorem a dynamickou pamětí RAM (označovaná L1, L2, L3), nebo operační paměť výkonných počítačů, kde není cena rozhodující. [76] => [77] => [[Soubor:DRAM draft.PNG|náhled|vlevo|200px|Zapojení paměťové buňky pro 1 [[bit]] v paměti DRAM.]] [78] => Dynamická RAM (DRAM) je levnější a výrobně mnohem jednodušší než SRAM, protože buňky jsou realizovány pomocí [[Parazitní kapacita|parazitních kapacit]] (jeden tranzistor). Nevýhodou je, že se obsah každé paměťové buňky musí pravidelně obnovovat ({{Vjazyce2|en|''refresh''}}). Obnova, kterou zajišťuje speciální obvod (aby nebyl zbytečně zatěžován procesor), probíhá hromadně po celých řádcích, takže pokles výkonu paměti není dramatický (při obnově není paměť dostupná). Při čtení dochází k vymazání obsahu buňky, obnova proto musí probíhat také po každém čtení (proto je čtení 1,5× delší než zápis). Uchování informace je založeno na fyzikálním principu nabíjení [[kondenzátor]]u, konkrétně na parazitní (Müllerově) kapacitě řídícího tranzistoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů (podle svodového odporu) je tento potenciál vybíjen, je nutno obnovování informace v paměťové buňce často opakovat (několik set krát za sekundu). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo. [79] => [80] => V osobních počítačích se jako vnitřní paměť používají téměř výhradně paměti DRAM. [81] => [82] => == Dělení DRAM modulů do počítače == [83] => [84] => {{Upravit část}} [85] => [[Soubor:RAM n.jpg|vpravo|náhled|300px|Různé typy pamětí RAM. Odshora: DIP 16-pin, SIPP, SIMM 30-pin, SIMM 72-pin, DIMM, DDR DIMM.]] [86] => Jaké paměti použijeme se vždy řídí použitou [[čipová sada|čipovou sadou]] na základní desce a základní deskou samotnou. [87] => [88] => * [[DIPP]], [[DILL]], [[SIPP]] [89] => * [[SIMM]] – (72pin, 30pin) – (Single Inline Memory Module) [90] => * [[DIMM]] – 3,3 V a 5 V – (Dual Inline Memory Module) – Jedná se defakto o dva moduly SIMM integrované na jedné desce. Důvodem je obsazení celé šířky sběrnice. [91] => ** [[SDR SDRAM|SDR]] – (Single Data Rate), spíše označovány jako [[SDRAM]] (Synchronous Dynamic RAM), starší typ pamětí typu [[DIMM]] (3,3 nebo 5 V), 168 pinů, kapacity od 16 [[Megabyte|MB]] do 512 MB, rychlost od 66 [[Hertz|MHz]] do 133 MHz (max 200 MHz), dva zářezy jako pojistka. Označení paměti PC100 odpovídá skutečné fyzické frekvenci (100 MHz). [92] => ** [[DDR SDRAM|DDR]] – (Double Data Rate) novější typ pamětí typu SDR, 3,3 V, 184 pinů, jen jeden zářez jako pojistka, frekvence 100 až 200 MHz, kapacity od 64 do 2048 MB. Vylepšení je v tom, že přenáší data na náběžné i koncové hraně taktovacího impulsu. Označení paměti DDR400 odpovídá dvojnásobku skutečné fyzické frekvence hodin (200 MHz). [93] => *** [[DDR2]] – novější typ pamětí DDR, podobné jako DDR, frekvence 200 až 533,33 MHz. Nevýhodou DDR2 jsou vyšší časy latence než u DDR. Označení paměti DDR2-800 odpovídá čtyřnásobku skutečné fyzické frekvence hodin (200 MHz). [94] => *** [[DDR3]] – Frekvence sběrnice 400 až 1066,67 MHz. Označení paměti DDR3-1600 odpovídá osminásobné skutečné frekvence hodin (200 MHz) [95] => *** [[DDR4]] – Prodej zahájen v roce 2014 a vytlačení DDR3 bylo očekáváno v roce 2016. Frekvence sběrnice 1066,67 až 2133,33 MHz, až 4266,67 MT/s při 1,05 V. Označení DDR4-3200 odpovídá šestnáctinásobku skutečné frekvence hodin (200 MHz) [96] => *** [[DDR5 SDRAM|DDR5]] – standard byl zveřejněn 14. července 2020.{{Citace elektronického periodika [97] => | příjmení = Václavík [98] => | jméno = Lukáš [99] => | titul = Standard DDR5 dokončen. Paměti budou čtyřikrát větší a dvakrát rychlejší [100] => | periodikum = Živě.cz [101] => | url = https://www.zive.cz/clanky/standard-ddr5-dokoncen-pameti-budou-ctyrikrat-vetsi-a-dvakrat-rychlejsi/sc-3-a-204912/default.aspx [102] => | jazyk = cs [103] => | datum přístupu = 2023-08-19 [104] => }} Nejsou zpětně kompatibilní se staršími moduly kvůli fyzickému provedení konektoru. Moduly mohou mít velikost až 512 GB při vyšší frekvenci než DDR4. [105] => * [[SO-DIMM]] – DIMM paměti používané pro notebooky (zmenšená velikost), 72pin nebo 144 a 200 pin, další dělení stejně jako DIMM výše [106] => * [[RDRAM|RIMM]] – Rambus DRAM (RDRAM). Oproti DDR DIMMu má jen 16 bitů přenosové šířky, ale zato je výrazně rychleji taktován. [107] => [108] => Dnešní rychlé paměti ([[DDR SDRAM|DDR]] – [[DDR5 SDRAM|DDR5]]) pracují v jednotkách [[Sekunda#Nanosekunda|nanosekund]], proto jejich čtení/zápis vyžaduje speciální [[časování RAM|časování]]. [109] => [110] => == Označení == [111] => Když výrobci pamětí přestali s výrobou SDRAM označovaných jako PC100 a PC133, změnili současně i způsob označování rychlosti pamětí. SDRAM měly v označení typu i rychlost. Např. PC100 má 100 MHz vnitřní i vnější frekvenci. Paměti DDR jsou označovány odlišně, takže PC2100 má přenosovou rychlost 2100 MB/s na frekvenci 133 MHz, má ale „double data transfer rate“, což znamená, že se chová jako 266 MHz. PC2700 má 166 MHz frekvenci (333 MHz [[Front Side Bus]]) a PC3200 má frekvenci 200 MHz (400 MHz FSB). [112] => [113] => Jak bylo uvedeno výše, paměti se označuji marketingově líbivými vysokými hodnotami „frekvencí“. Ve skutečnosti paměti SDR-DDR-DDR2-DDR3-DDR4 stále používají čipy pracující na frekvencích max. 266 MHz (pro špičkové modelové řady). Marketingové označení prakticky vyjadřuje max. teoretickou propustnost pamětí. Nikoliv frekvenci fyzickou – „elektrickou“. [114] => [115] => == Odkazy == [116] => === Poznámky === [117] => [118] => [119] => === Reference === [120] => [121] => [122] => === Související články === [123] => * [[Operační paměť]] [124] => [125] => === Externí odkazy === [126] => * {{Wikislovník|heslo=RAM}} [127] => * {{Commonscat}} [128] => * [http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/ORGPAM.HTML Organizace pamětí v PC] [129] => * http://www.blogovnik.cz/pruvodce-hardware-operacni-pamet-ram-simm-dimm-so-dimm-rimm-cleneni-z-hlediska-osaze-201307201514.php {{Wayback|url=http://www.blogovnik.cz/pruvodce-hardware-operacni-pamet-ram-simm-dimm-so-dimm-rimm-cleneni-z-hlediska-osaze-201307201514.php |date=20150923192038 }} [130] => * [http://www.cypress.com/file/43011/download CY62146ESL 4-Mbit (256K x 16) Static RAM] – ukázka datasheetu statické RAM {{en}} [131] => [132] => {{Autoritní data}} [133] => [134] => [[Kategorie:Počítačová paměť]] [135] => [[Kategorie:Zkratky]] [] => )
good wiki

RAM

Paměť RAM DDR2 RAM je v informatice označení používané pro polovodičové paměti s přímým přístupem umožňující čtení i zápis. V technické praxi si pod pojmem RAM představíme paměť s následujícími vlastnostmi: * elektronická polovodičová paměť * „téměř okamžité“ čtení i zápis jakékoli jednotlivé paměťové buňky * počet zápisů a čtení není omezený Paměť RAM si lze představit jako řadu očíslovaných (číslo je adresa buňky) buněk, z nichž každá obsahuje nějakou hodnotu (při velikosti buňky 1 bajt hodnotu 0-255).

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'bajt','počítač','CMOS','kondenzátor','Polovodičová paměť','DIMM','Operační paměť','DDR SDRAM','DDR5 SDRAM','Sekvenční přístup','SO-DIMM','Soubor:Ddr2 800 mhz.jpg'

Bajt

Bajt je jednotka pro měření paměti v informatice.

CMOS

DIMM

Kondenzátor

Kondenzátor je elektrický prvek schopný uchovávat elektrický náboj.

Počítač

SO-DIMM