Array ( [0] => 15520709 [id] => 15520709 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => DRAM [uri] => DRAM [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 0 [has_content] => 0 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => {{Možná hledáte|[[Arménský dram]]}} [1] => {{Neověřeno}} [2] => [[Soubor:DRAM_draft.PNG|náhled|400px|Paměťová buňka DRAM]] [3] => '''DRAM''' ({{Vjazyce2|en|''Dynamic Random Access Memory''}}) je asynchronní [[Elektronická paměť|počítačová paměť]], která uchovává data v podobě [[elektrický náboj|elektrického náboje]] v [[kondenzátor]]u, který odpovídá parazitní kapacitě řídící [[elektroda|elektrody]] (gate) [[tranzistor]]u typu [[MOSFET]]. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky – [[bit]]u. [4] => [5] => V praxi byly asynchronní typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy [[SDR SDRAM|SDRAM]] a [[DDR SDRAM]] (a jejich novějšími verzemi [[DDR2 SDRAM|DDR2]], [[DDR3 SDRAM|DDR3]], [[DDR4 SDRAM|DDR4]] a [[DDR5 SDRAM|DDR5]]). [6] => [7] => == Charakteristiky == [8] => * Paměť typu DRAM je destruktivní při čtení. To znamená, že při každém přečtení se data z paměti vymažou. Avšak data se ihned po přečtení uloží do vyrovnávací paměti, odkud se okamžitě zase obnoví. Uživatel tedy samozřejmě o svá data nepřijde. [9] => * I když je paměť připojena ke zdroji elektrického napětí, dochází v každé buňce neustále k pomalému vybíjení náboje. Proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, tj. opětovné nabíjení parazitní kapacity tzv. ''refresh''. [10] => * Dynamické paměti se vyznačují šestinásobně větší hustotou zaznamenané informace oproti statickým pamětím [[SRAM]] což má za následek nižší cenu při vyšší kapacitě. [11] => * Na rozdíl od SRAM mají kvůli potřebě stálého obnovování nezanedbatelnou spotřebu energie i když se k nim nepřistupuje (nedochází k zápisu ani ke čtení). [12] => * Paměť má ve srovnání s SRAM delší přístupový čas. [13] => * Paměť vykazuje vážnou hardwarovou [[zranitelnost]] (umožňuje změnit bity v řádku paměti příliš častou změnou sousedních řádků).{{Citace elektronického periodika [14] => | příjmení = Morsch [15] => | jméno = Oliver [16] => | titul = Serious security vulnerabilities in DRAM memory devices [17] => | periodikum = TechXplore [18] => | url = https://techxplore.com/news/2021-11-vulnerabilities-dram-memory-devices.html [19] => | datum vydání = 2021-11-16 [20] => | jazyk = en [21] => | datum přístupu = 2022-10-04 [22] => }} [23] => [24] => == Konstrukce == [25] => [[Soubor:square array of mosfet cells read.png|náhled|250px|Princip operace čtení pro jednoduché pole 4x4.]] [26] => Výhoda DRAM spočívá v její konstrukční jednoduchosti: pouze jeden tranzistor a jeden kondenzátor pro jeden bit, namísto čtyř až šesti tranzistorů u SRAM. To umožňuje DRAM dosáhnout vysoké hustoty. Na rozdíl od [[Flash paměť|flash paměti]] je DRAM nestálá (volatilní) a ztrácí tak rychle svá data, pokud je odpojena od napájení. Tranzistory a kondenzátory jsou extrémně malé – na jeden paměťový čip se jich vejdou miliardy. DRAM je většinou uspořádána do obdélníkové řady paměťových buněk (matice, šachovnice). Obrázek vpravo ukazuje jednoduchý příklad matice s 4 buňkami na výšku a 4 na šířku, moderní matice jich však mají tisíce. [27] => [28] => == Čtení a zápis == [29] => [30] => === Čtení === [31] => Čtení z paměti neprobíhá tak, že bychom paměti udali adresu a ona vrátila bit, který je na ní uložen. Z technologických důvodů se čtení z paměti skládá ze 2 operací – ''dílčí čtení'' a ''dílčí zápis''. Při ''dílčím čtení'' se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Při tom dochází k vymazání dat (viz výše). Přečtený řádek se poté obnoví ''dílčím zápisem'', při kterém se informace uloží na své původní místo. [32] => [33] => === Zápis === [34] => I zápis do paměti se skládá ze stejných 2 operací jako čtení. Nejprve se provede dílčí čtení, při kterém se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Poté se ve vyrovnávací paměti změní požadované bity, které se mají do paměti zapsat a následně se při dílčím zápisu celý řádek z vyrovnávací paměti obnoví na původní adresu. [35] => [36] => == Odkazy == [37] => [38] => === Reference === [39] => [40] => [41] => === Externí odkazy === [42] => * {{Commonscat}} [43] => * [http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML#DRAM/ Fakulta informatiky Masarykovy univerzity - Paměti] [44] => * [http://poli.cs.vsb.cz/edu/arp/down/pameti.pdf Paměti počítačů - studijní materiál pro předmět architektury počítačů na VŠB-TU Ostrava] [45] => {{Autoritní data}} [46] => [47] => [[Kategorie:Počítačová paměť]] [48] => [[Kategorie:Zkratky]] [49] => [50] => [[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM]] [] => )
good wiki

DRAM

Paměťová buňka DRAM DRAM je asynchronní počítačová paměť, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru, který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (gate) tranzistoru typu MOSFET. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky - bitu.

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'Soubor:DRAM_draft.PNG','bit','el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM','Kategorie:Počítačová paměť','Soubor:square array of mosfet cells read.png','elektrický náboj','kondenzátor','elektroda','tranzistor','MOSFET','Elektronická paměť','DDR SDRAM'

Bit

Elektroda

Kondenzátor

Kondenzátor je elektrický prvek schopný uchovávat elektrický náboj.

MOSFET

Tranzistor