Array ( [0] => 14720364 [id] => 14720364 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => Fotodioda [uri] => Fotodioda [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 0 [has_content] => 0 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => [[Soubor:Photodiode symbol CS.svg|náhled|Schematická značka fotodiody]] [1] => [[Soubor:Fotodio.jpg|náhled|Různá provedení fotodiod]] [2] => [3] => '''Fotodioda''' je v [[Elektrotechnika|elektrotechnice]] typ [[elektrotechnická součástka|součástky]], která reaguje na [[Světlo|osvětlení]]. Jedná se o plošnou [[dioda|diodu]], která je konstrukčně upravená tak, aby do oblasti [[PN přechod]]u pronikalo světlo. Není-li přechod osvětlen, chová se jako běžná [[dioda]]. Po osvětlení dochází vlivem [[Fotoelektrický jev|vnitřního fotoelektrického jevu]] velmi rychle k nárůstu průchodu elektrického proudu v závěrném směru. Proto se používá k detekci osvětlení (např. [[světelná závora]]), měření [[Otáčkoměr|otáček]] a podobně. [4] => [5] => == Charakteristika == [6] => [[Voltampérová charakteristika]] fotodiody má bez přítomnosti osvětlení jejího PN přechodu stejný průběh, jako charakteristika běžné [[dioda|diody]]. Vliv osvětlení přechodu můžeme sledovat v polarizaci diody v závěrném směru, kdy dochází k lineárnímu růstu anodového proudu ([[anoda]]) při rovnoměrném zvětšování osvětlení. Dioda se tedy chová jako [[Elektrotechnická součástka|pasivní součástka]], jejíž proud v závěrném směru je závislý na osvětlení. Fotodioda reaguje na změny osvětlení velmi rychle, řádově 10−6–10−9 s. [7] => [8] => Zvláštní konstrukce se používá například u [[fotodioda PIN|fotodiody PIN]], která má mezi vrstvou přechodu P a N vloženou vrstvu minimálně dopovaného polovodiče s velkou elektrickou pevností (až 500 V). Proto pracuje s velmi vysokými intenzitami [[Elektrické pole|elektrického pole]] v oblasti přechodu. Tím je dosaženo náběhu již v řádu 10−12–10−15 s. [9] => [10] => == Princip == [11] => Princip fotodiody je založen na [[Fotoelektrický jev|vnitřním fotoelektrickém jevu]]. Světlo (foton), které dopadá na přechod PN (světlo je soustředěno na přechod např. čočkou), narazí do elektronu ve valenční vrstvě atomu a předá mu svoji energii. Elektron energii fotonu absorbuje, čímž získá dostatek energie k opuštění valenčního pásu a přeskočí do pásu vodivostního - elektron opustí vlastní atom a pohybuje se prostorem krystalové mřížky, vznikl tím volný elektron, na jeho místě vznikla díra (defektní elektron). Takto vzniklé volné elektrony jsou volné nosiče náboje, které snižují elektrický odpor polovodiče, resp. zvyšují elektrickou vodivost polovodiče. Tento fotoelektrický jev nastává také i u fotorezistoru (fotoodporu). [12] => [13] => == Použití fotodiody == [14] => VA charakteristika fotodiody prochází 3 kvadranty (I., III. a IV. kvadrantem), přičemž využíváme jen III. a IV. kvadrant. Ve III. kvadrantu pracuje fotodioda v tzv. odporovém (fotovodivostním) režimu a chová se jako rezistor citlivý na světlo. Ve IV. kvadrantu pracuje dioda v tzv. hradlovém (fotovoltaickém) režimu, zde se dioda chová jako zdroj elektrické energie. [15] => [[Soubor:Fotodioda_VA_charakteristika_pri_ruzném_osvětlení.jpg|náhled|vpravo|charakteristika]] [16] => [17] => Fotodiody používáme k měření osvětlení, snímání dat (v minulosti se tak například snímala data z [[Děrný štítek|děrných štítků]]), v automatizaci. Rychlé fotodiody se používají v optických spojích, [[optron]]ech apod. [18] => [19] => == Spektrální charakteristika křemíkové fotodiody == [20] => Jsou popsány křemíkové fotodetektory s konstrukčně definovanou spektrální odezvou. Za tímto účelem jsou využity moderní technologie mikroobrábění obecně a zejména dvě vlastnosti integrovaného křemíkového fotodetektoru. Zaprvé se využívá závislost absorpčního koeficientu na vlnové délce. Za druhé se využívá skutečnosti, že vícevrstvý interferenční filtr na pn přechodu vzniká zpracováním křemíkového plátku. Křemíkový komplexní index lomu, n* = n - jk, je ve viditelné části spektra závislý na vlnové délce, protože nepřímá mezera v pásu při 1,12 eV a možnost přímého přechodu při 3,4 eV způsobují, že materiál vysoce absorbuje UV záření a také se chová prakticky jako průhledný materiál pro vlnové délky nad 800 nm. Tento mechanismus umožňuje navrhovat barevné senzory a také fotodiody s rozlišovací odezvou v infračerveném nebo UV poli. Přenos světla událostí s povrchovou vrstvou tenkých vrstev na objemový křemík závisí na vlnové délce. Potřebná kompatibilita s běžnými mikroelektronickými procesy v křemíku omezuje rozsah ideálních materiálů na materiály kompatibilní s křemíkem, které se tradičně využívají pro výrobu integrovaných obvodů. Přesné údaje o: krystalickém Si, tepelně vypěstovaném SiO2, LPCVD polykřemíku, nitridu křemíku (nízkoztrátovém a stechiometrickém) a také oxidech (LTO, PSG, BSG, BPSG), PECVD oxynitridech a také tenkých vrstvách kovů jsou uvedeny pro zvýšení kvality předpovědi simulace. U úplného mikrospektrometru se k výrobě difuzní součásti obvykle používá mikroobrábění. Představena jsou zařízení pracující ve viditelném nebo infračerveném spektru založená na Fabryho-Perotově mřížce nebo etalonu.{{Citace elektronické monografie [21] => | příjmení = Michal [22] => | titul = What is Photodiode - How does a photodiode works - 911electronic.com [23] => | url = https://911electronic.com/what-is-photodiode-how-does-a-photodiode-works/ [24] => | datum vydání = 2022-03-14 [25] => | datum přístupu = 2022-05-18 [26] => | jazyk = en-US [27] => }} [28] => [29] => == Odkazy == [30] => [31] => === Reference === [32] => [33] => === Literatura === [34] => * [[Juraj Valsa|Valsa J]].: Teoretická elektrotechnika I; VUT Brno, 1997 [35] => * Brančík L.: Elektrotechnika I; VUT Brno [36] => * Dědková J: Elektrotechnický seminář; VUT Brno [37] => * Musil V., Brzobohatý J., Boušek J., Prchalová I.: Elektronické součástky; VUT Brno, 1996 [38] => * Mikulec M., Havlíček V.: Základy teorie elektrických obvodů 1; ČVUT, 1997 [39] => * Stránský J. a kol.: Polovodičová technika I – učebnice pro elektrotechnické fakulty; SNTL; 1982 [40] => * Blahovec A.: Elektrotechnika I; Informatorium ,1997 [41] => * Blahovec A.: Elektrotechnika II; Informatorium ,1997 [42] => * Maťátko J.: Elektronika; Idea Servis, 1997 [43] => * Syrovátko M.: Zapojení s polovodičovými součástkami; SNTL, 1987 [44] => * Frohn M., Oberthür W. a kol.: Elektronika – součástky a základní zapojení; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2006 [45] => * Vobecký J., Záhlava V.: Elektronika – součástky a obvody, principy a příklady; Grada Publishing; 2001 [46] => * Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 1.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2005 [47] => * Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 2.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2005 [48] => * Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 3.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2005 [49] => * Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 4.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2006 [50] => === Související články === [51] => * [[Fotonka]] [52] => * [[Fotorezistor]] [53] => * [[Fototranzistor]] [54] => * [[Fotovoltaický článek]] [55] => [56] => === Externí odkazy === [57] => * {{commonscat}} [58] => * {{Wikislovník|heslo=fotodioda}} [59] => {{Autoritní data}} [60] => [61] => [[Kategorie:Optoelektronika]] [62] => [[Kategorie:Diody]] [] => )
good wiki

Fotodioda

Schematická značka fotodiody Různá provedení fotodiod Fotodioda je v elektrotechnice typ součástky, která reaguje na osvětlení. Jedná se o plošnou diodu, která je konstrukčně upravená tak, aby do oblasti PN přechodu pronikalo světlo.

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'BEN - technická literatura','dioda','Fotoelektrický jev','Kategorie:Optoelektronika','Fototranzistor','Fotonka','Soubor:Fotodio.jpg','Elektrotechnika','elektrotechnická součástka','Světlo','PN přechod','Juraj Valsa'