Array ( [0] => 14721855 [id] => 14721855 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => Fotorezistor [uri] => Fotorezistor [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 0 [has_content] => 0 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => [[Soubor:Light-dependent resistor schematic symbol.svg|vpravo|100px|náhled|schematická značka fotorezistoru]] [1] => '''Fotorezistor''' (dříve označován jako ''fotoodpor'') je ''pasivní'' [[elektrotechnická součástka|elektronická]] [[součástka]] bez [[PN přechod|PN přechodu]], jejíž [[elektrický odpor]] se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje. [2] => [3] => == Princip == [4] => [[Soubor:Zapojeni fotorezistoru.png|náhled|vpravo|200px|Zapojení fotorezistoru]] [5] => Princip fotorezistoru je založen na vnitřním [[Fotoelektrický jev|fotoelektrickém jevu]]: světlo ([[foton]]) narazí do [[elektron]]u ve [[Valenční pás|valenční sféře]] a předá mu svoji [[Energie|energii]], tím elektron získá dostatek energie k překonání [[Zakázaný pás|zakázaného pásu]] a skočí z valenčního pásu do vodivostního. Tím opustí svůj [[atom]] a pohybuje se jako volný elektron prostorem [[Krystalová mřížka|krystalové mřížky]]. Na jeho místě vznikla díra (defektní elektron). Takto vzniklé volné elektrony přispívají ke snížení [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] (zvýšení elektrické vodivosti). Čím více [[Světlo|světla]] na fotorezistor dopadá, tím vzniká více volných elektronů a zvyšuje se tím [[elektrická vodivost]]. Fotorezistor využívá svoji vlastní vodivost. [6] => [7] => === Popis obrázku === [8] => Napěťový dělič R_f, R je připojen k bázi [[tranzistor]]u tehdy, jestliže má být za tmy tranzistor zavřený. [[Napětí]] U_1 bude mnohem nižší než potřebné napětí pro bázi, protože fotorezistor má za tmy velký [[Elektrický odpor|odpor]]. [[Osvětlení]]m fotorezistoru odpor klesne a U_1 stoupne. Tranzistor se otevře, napětí U_2 na kolektoru bude menší než U_1 [9] => [10] => == Konstrukce fotorezistoru == [11] => [[Soubor:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg|náhled|80px|Fotorezistor]] [12] => Fotovodivé vrstvy je možné vytvářet třemi různými způsoby: [13] => * metodou tlustých vrstev a sintrací [14] => * použitím [[monokrystal]]u [15] => * metodou tenkých vrstev [16] => Ve starších konstrukcích se vyráběly fotorezistory ve skleněné baňce nebo ve větším plastovém pouzdře. Dnes se nejčastěji vyrábí s napařovanou vrstvou. Na [[křemík]]ovou nebo [[Germanium|germaniovou]] destičku je nanesena vrstva [[Kovy|kovu]] ve tvaru hrabiček. Je to do jisté míry přechod kov – [[polovodič]]. Vlivem osvětlení se mění [[Elektrická vodivost|vodivost]] mezi vodivými kovovými vložkami. Materiály často používané na výrobu fotoodporů jsou sulfid kadmia (CdS) a sulfid olova (PbS). [17] => [18] => [[Soubor:Konstrukcni usporadani fotorezistoru.png|220px]] [19] => [20] => == Vlastnosti == [21] => [[Soubor:Zavislost R na E.png|náhled|vpravo|Závislost elektrického odporu na relativním osvětlení|250px]] [22] => Odpor se zmenšuje v závislosti na intenzitě osvětlení přibližně [[Logaritmická funkce|logaritmicky]] (klesne většinou o několik řádů), ale do jisté míry jej lze velice dobře [[linearizace|linearizovat]]. [[Diagram|Grafem]] závislosti velikosti [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] na [[osvětlení]] je v [[Logaritmická stupnice|logaritmickém měřítku]] [[přímka]]. V závislosti na typu použitého materiálu lze fotorezistorem detekovat jak viditelné, tak i [[Ultrafialové záření|ultrafialové]] a [[Infračervené záření|infračervené]] [[světlo]]. Podle použitého zdroje [[Elektromagnetické záření|záření]] je nutné vybrat správný typ fotorezistoru. U fotorezistorů se udává [[citlivost]]. Citlivost je obecně vztah mezi [[Intenzita záření|intenzitou]] dopadajícího optického záření a výstupním [[signál]]em. Spektrální [[citlivost]] vyjadřuje závislost citlivosti materiálu fotorezistoru na [[Vlnová délka|vlnové délce]] optického záření. Fotorezisotry jsou silně teplotně závislé, při nižších velikostech osvětlení je teplotní závislost větší, teplotní závislost je také větší u vyšších [[Vlnová délka|vlnových délek]]. Jako u klasických [[rezistor]]ů způsobuje teplota [[šum]]. [23] => [24] => {| class="wikitable" [25] => !Polovodič || Zakázané pásmo [eV] || Max. citlivost [nm] [26] => |- [27] => | [[Sulfid zinečnatý]] (ZnS) [28] => | 3,6 [29] => | 340 [30] => |- [31] => | Sulfid kademnatý (CdS) [32] => | 2,4 [33] => | 520 [34] => |- [35] => | Selenid kademnatý (CdSe) [36] => | 1,8 [37] => | 690 [38] => |- [39] => | Telurid kademnatý (CdTe) [40] => | 1,5 [41] => | 830 [42] => |- [43] => | [[Křemík]] (Si) [44] => | 1,12 [45] => | 1100 [46] => |- [47] => | [[Germanium]] (Ge) [48] => | 0,78 [49] => | 1580 [50] => |- [51] => | Sulfid olovnatý (PbS) [52] => | 0,37 [53] => | 3350 [54] => |- [55] => | Arsenid india (InAr) [56] => | 0,35 [57] => | 3540 [58] => |- [59] => | Telurid olovnatý (PbTe) [60] => | 0,27 [61] => | 4130 [62] => |- [63] => | Antimonid india (InSb) [64] => | 0,18 [65] => | 6900 [66] => |} [67] => [68] => === Odpor fotorezistoru === [69] => * R_{10lx} je velikost [[Elektrický odpor|odporu]] pro [[osvětlení]] 10 lx při [[Teplota|teplotě]] 25 °C [70] => * R_{min} (odpor za tmy) je minimální hodnota odporu měřená 5 sekund po přerušení osvětlení 10 lx [71] => * P_{max} maximální ztrátový [[výkon]] je největší přípustné zatížení při teplotě 25 °C [72] => * U_{max} maximální provozní [[napětí]] pro 25 °C, tuto hodnotu je možné na fotorezistor přiložit pouze za tmy [73] => [74] => [[Soubor:Relativni zatizitelnost fotorezistoru.png|350px]] [75] => [76] => === Rychlost odezvy === [77] => Fotorezistory mají poměrně pomalou odezvu na změnu [[osvětlení]], která se mění s jeho intenzitou. Směrem k větším [[Vlnová délka|vlnovým délkám]] a s velikostí osvětlení se odezva fotorezistoru zrychluje. Rychlost odezvy závisí na použitém materiálu. Nejpomalejším materiálem pro fotorezistory je [[sulfid kademnatý]] (CdS) a nejrychlejší antimonid india (InSb). CdS má odezvu přibližně 100 ms a InSb 10 ms. [78] => [79] => === Doba náběhu === [80] => Doba náběhu je doba od okamžiku [[Intenzita osvětlení|osvětlení]], po které hodnota odporu dosáhne stanovenou velikost [81] => [82] => === Doba sestupné hrany === [83] => Doba sestupné hrany je doba od zhasnutí do okamžiku, kdy se velikost odporu fotorezistoru zvýší na předepsanou hodnotu. [84] => [85] => === Paměťový jev === [86] => U fotorezistorů se při změně osvětlení projevuje paměťový jev, který spočívá v tom, že si fotorezistor pamatuje hodnotu, kterou měl v době skladování. Tento jev je možné minimalizovat, budeme-li fotorezistor před použitím skladovat na [[Světlo|světle]]. [87] => [88] => === Rozsah provozních teplot === [89] => Udává mezní [[Teplota|teploty]], při kterých pracuje fotorezistor korektně. [90] => [91] => === Výhody === [92] => * značná [[citlivost]] [93] => * snadné použití a nízká cena [94] => * možnost aplikace pro [[Stejnosměrný proud|stejnosměrné]] i [[Střídavý proud|střídavé]] obvody (pracuje nezávisle na směru [[Elektrický proud|proudu]]) [95] => [96] => === Nevýhody === [97] => * dlouhá doba [[Odezva|odezvy]], která se zvýší, jestliže po intenzivním [[osvětlení]] rychle následuje tma [98] => * značná teplotní závislost odporu [99] => * fotorezistory v provozu stárnou [100] => * lze použít pouze do stovek [[hertz]]ů [101] => * [[plocha]] citlivá na světlo dosahuje i několika desítek milimetrů čtverečných [102] => [103] => == Použití == [104] => Fotorezistory se používají pro indikaci a [[měření]] neelektrických veličin. Mají široké použití při měření [[Osvětlenost|intenzity světla]] (např. v soumrakových spínačích, ve [[fotoaparát]]ech), fotozávorách a [[optočlen]]ech. Uplatňují se jako součásti [[Požární hlásič|požárních hlásičů]], také v [[kalorimetr]]ech a regulační technice. Své místo mají ve vstupních obvodech [[polovodič]]ových prvků, jako proměnné [[Elektrický odpor|odpory]] a zpravidla se účastní nastavení pracovního bodu. [105] => [106] => == Související články == [107] => * [[Rezistor]] [108] => * [[Fototyristor]] [109] => * [[Fototranzistor]] [110] => * [[Fotodioda]] [111] => * [[Fotoelektrický jev]] [112] => [113] => == Externí odkazy == [114] => * {{Commonscat}} [115] => [116] => == Literatura == [117] => {{Citace monografie [118] => | příjmení = Frohn [119] => | jméno = Manfred [120] => | odkaz na autora = [121] => | spoluautoři = et al. [122] => | rok = 2006 [123] => | titul = ELEKTRONIKA - polovodičové součástky a základní zapojení [124] => | vydavatel = nakladatelství [[BEN - technická literatura]] [125] => | místo = [126] => | isbn = 80-7300-123-3 [127] => }} [128] => [129] => {{Citace monografie [130] => | příjmení = Malina [131] => | jméno = Václav [132] => | odkaz na autora = [133] => | spoluautoři = [134] => | rok = 1999 [135] => | titul = Poznáváme elektroniku IV [136] => | vydavatel = KOPP [137] => | místo = České Budějovice [138] => | isbn = 80-7232-027-0 [139] => }} [140] => [141] => [1] [[Juraj Valsa|Valsa J]].: Teoretická elektrotechnika I; VUT Brno, 1997
[142] => [2] Brančík L.: Elektrotechnika I; VUT Brno
[143] => [3] Dědková J: Elektrotechnický seminář; VUT Brno
[144] => [4] Musil V., Brzobohatý J., Boušek J., Prchalová I.: Elektronické součástky; VUT Brno, 1996
[145] => [5] Mikulec M., Havlíček V.: Základy teorie elektrických obvodů 1; ČVUT, 1997
[146] => [6] Stránský J. a kol.: Polovodičová technika I – učebnice pro elektrotechnické fakulty; SNTL; 1982
[147] => [7] Maťátko J.: Elektronika; Idea Servis, 1997
[148] => [8) Syrovátko M.: Zapojení s polovodičovými součástkami; SNTL, 1987
[149] => [9] Frohn M., Oberthür W. a kol.: Elektronika – součástky a základní zapojení; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2006
[150] => [10] Vobecký J., Záhlava V.: Elektronika – součástky a obvody, principy a příklady; Grada Publishing; 2001
[151] => [11] Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 3.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2005
[152] => {{Autoritní data}} [153] => [154] => [[Kategorie:Optoelektronika]] [155] => [[Kategorie:Diskrétní součástky]] [] => )
good wiki

Fotorezistor

schematická značka fotorezistoru Fotorezistor (dříve označován jako fotoodpor) je pasivní elektronická součástka bez PN přechodu, jejíž elektrický odpor se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje.

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'Elektrický odpor','osvětlení','Vlnová délka','citlivost','Teplota','Světlo','Germanium','polovodič','BEN - technická literatura','Fotoelektrický jev','foton','Valenční pás'

Citlivost

Foton

Germanium

Osvětlení

Polovodič

Světlo

Teplota