Array ( [0] => 15592770 [id] => 15592770 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => PMOS [uri] => PMOS [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 1 [has_content] => 1 [12] => **PMOS** PMOS (P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) je typ tranzistoru, který je součástí moderní elektroniky a hraje klíčovou roli v mnoha aplikacích. Je známý svou schopností efektivně řídit elektrické signály a energii, což přispívá k rozvoji inovativních technologií. Tranzistory PMOS fungují na principu řízení toku elektrického proudu pomocí elektrického pole. Tento typ tranzistoru je obvykle použit v kombinaci s NMOS tranzistory, což vede k tvorbě CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologií. Tyto technologie jsou oblíbené pro svou nízkou spotřebu energie, vysokou integraci a spolehlivost, což usnadňuje výrobu efektivních a výkonných integrovaných obvodů. Díky svým jedinečným vlastnostem nachází PMOS tranzistory uplatnění v různých oblastech, jako jsou spotřební elektronika, telekomunikace a automobilový průmysl. Jejich schopnost fungovat při nízkých napětích a generovat méně tepla přispívá k ekologičtějším a udržitelnějším technologiím, které snižují energetickou náročnost a podporují ochranu životního prostředí. I přes výzvy, s nimiž se výrobcům PMOS technologií občas potýkají, jako je například miniaturizace a výkonové parametry, neustále se nacházejí nové cesty, jak tyto tranzistory zdokonalovat a přizpůsobovat potřebám moderního světa. Innovations v oblasti materiálů a výrobních procesů slibují zlepšení efektivity a funkčnosti, což otevírá dveře novým možnostem pro používání PMOS v budoucnu. V závěru, tranzistory PMOS představují důležitý prvek naší technologické krajiny, jejichž pozitivní přínos se odráží ve zlepšení životní úrovně a pohodlí ve světě. S jejich všeobecnou dostupností a neustálým pokrokem se dá očekávat, že i nadále budou hrát klíčovou roli v inovacích, které přinášejí užitek společnosti jako celku. [oai_cs_optimisticky] => **PMOS** PMOS (P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) je typ tranzistoru, který je součástí moderní elektroniky a hraje klíčovou roli v mnoha aplikacích. Je známý svou schopností efektivně řídit elektrické signály a energii, což přispívá k rozvoji inovativních technologií. Tranzistory PMOS fungují na principu řízení toku elektrického proudu pomocí elektrického pole. Tento typ tranzistoru je obvykle použit v kombinaci s NMOS tranzistory, což vede k tvorbě CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologií. Tyto technologie jsou oblíbené pro svou nízkou spotřebu energie, vysokou integraci a spolehlivost, což usnadňuje výrobu efektivních a výkonných integrovaných obvodů. Díky svým jedinečným vlastnostem nachází PMOS tranzistory uplatnění v různých oblastech, jako jsou spotřební elektronika, telekomunikace a automobilový průmysl. Jejich schopnost fungovat při nízkých napětích a generovat méně tepla přispívá k ekologičtějším a udržitelnějším technologiím, které snižují energetickou náročnost a podporují ochranu životního prostředí. I přes výzvy, s nimiž se výrobcům PMOS technologií občas potýkají, jako je například miniaturizace a výkonové parametry, neustále se nacházejí nové cesty, jak tyto tranzistory zdokonalovat a přizpůsobovat potřebám moderního světa. Innovations v oblasti materiálů a výrobních procesů slibují zlepšení efektivity a funkčnosti, což otevírá dveře novým možnostem pro používání PMOS v budoucnu. V závěru, tranzistory PMOS představují důležitý prvek naší technologické krajiny, jejichž pozitivní přínos se odráží ve zlepšení životní úrovně a pohodlí ve světě. S jejich všeobecnou dostupností a neustálým pokrokem se dá očekávat, že i nadále budou hrát klíčovou roli v inovacích, které přinášejí užitek společnosti jako celku. ) Array ( [0] => [[Soubor:CT7004.jpg|náhled|Integrovaný obvod PMOS pro hodiny z roku 1974]] [1] => '''PMOS logika''' ({{Vjazyce2|en|''P-type metal-oxide-semiconductor''}}) je [[polovodič]]ová technologie používaná pro realizaci [[logický člen|logických členů]] v [[číslicová technika|digitálních]] [[integrovaný obvod|integrovaných obvodech]] složených pouze z [[unipolární tranzistor|unipolárních tranzistorů]] typu P. [2] => [3] => Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory [[Intel 4004]] a [[Intel 8008]]. [4] => [5] => Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření [[inverzní vrstva (polovodiče)|inverzní vrstvy]] (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení [[elektronová díra|děr]] k elektrodě G. Vzniklá vrstva nazývaná p-kanál, může vést [[elektronová díra|díry]] mezi elektrodami „source“ a „drain“ [[p-typ polovodič|typu P]]. [6] => Tranzistory PMOS mají jako jiné tranzistory MOSFET čtyři režimy činnosti: závěrný ({{Vjazyce2|en|''cut-off'', ''subthreshold''}}), triodový (lineární), režim saturace (někdy nazývaný aktivní) a saturace rychlosti nosičů ({{Vjazyce2|en|''velocity saturation''}}). [7] => [8] => == Obvody PMOS == [9] => {| class="floatright" [10] => |-Style="vertical-align:top" [11] => | [[Soubor:PMOS NOT.svg|vpravo|náhled|160px|Hradlo NOT realizované technologií PMOS.]] [12] => | [[Soubor:PMOS NOR corr.png|vpravo|náhled|160px|Hradlo NOR realizované technologií PMOS.]] [13] => | [[Soubor:PMOS NAND corr.png|vpravo|náhled|160px|Hradlo NAND realizované technologií PMOS.]] [14] => |} [15] => Tranzistory MOSFET typu P jsou uspořádány do tak zvané „pull-up sítě“ (PUN), zapojené mezi výstup logického hradla a kladný pól napájení, zatímco mezi výstupem logického hradla a záporným pólem napájení je umístěn [[rezistor]]. Obvod je navržen tak, že když má být na výstupu vysoká úroveň, je PUN sepnuta a propojuje výstup s kladným pólem. [16] => [17] => Protože pro vytvoření rezistoru je potřeba mnohonásobně větší plocha čipu než pro vytvoření tranzistoru, nahrazuje se zatěžovací rezistor tranzistorem. To sice usnadňuje návrh i výrobu [[Logický obvod|logických obvodů]] PMOS, ale přináší i některé nevýhody: Jednou z nich je, že když je PUN sepnutá (tj. výstup je ve stavu logické jedničky), protéká zatěžovacím tranzistorem malý [[stejnosměrný proud]], který způsobuje určitou spotřebu, i když obvod nemění stav (tzv. ''statická spotřeba''). [18] => [19] => Další nevýhodou je pomalost PMOS obvodů, především při přechodu z vysoké úrovně na nízkou. Při přechodu z nízké úrovně na vysokou má PUN nízký odpor a kapacitní náboj na výstupu se hromadí velmi rychle (jako při nabíjení kondenzátoru přes malý odpor). Odpor mezi výstupem a záporným pólem je mnohem větší, takže přechod z vysoké na nízkou úroveň trvá déle (jako vybíjení kondenzátoru přes velký odpor). Zrychlení vybíjení by bylo možné snížením odporu, ale za cenu zvýšené statické spotřeby. [20] => [21] => Díky asymetrickým vstupním logickým úrovním jsou také PMOS obvody citlivé na šum. [22] => [23] => Většina [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]] PMOS vyžaduje napájecí napětí 17 až 24 V.{{Citace elektronické monografie [24] => | vydavatel = Fairchild [25] => | titul = Application Note 77 [26] => | url = https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-77.pdf "CMOS, the Ideal Logic Family" [27] => | datum = 1983 [28] => | strana = 6 [29] => | datum přístupu = 2016-03-19 [30] => | url archivu = https://web.archive.org/web/20150109070537/https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-77.pdf [31] => | datum archivace = 2015-01-09 [32] => | nedostupné = ano [33] => }} [34] => [35] => Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory [[Intel 4004]] a [[Intel 8008]]. Po zvládnutí náročnější technologie výroby byly obvody PMOS okolo roku 1975 rychle vytlačeny logikou [[NMOS]], která je díky vyšší pohyblivosti [[elektron]]ů jako [[nosič náboje|nosičů náboje]] rychlejší než PMOS a umožňuje další miniaturizaci ([[HMOS]]). Dalším krokem bylo použití technologie [[CMOS]], která kombinací tranzistorů NMOS a PMOS na jednom čipu mnohonásobně snižuje statickou spotřebu, zároveň však díky pokroku technologie a možnosti vytvářet složitější struktury dosahuje vyšší rychlosti než původní obvody CMOS. [36] => [37] => == Odkazy == [38] => [39] => === Reference === [40] => {{Překlad|en|PMOS logic|697751124}} [41] => [42] => [43] => === Související články === [44] => * [[MOSFET]] [45] => * [[NMOS]] [46] => [47] => {{Logické obvody}} [48] => {{Autoritní data}} [49] => [50] => [[Kategorie:Zkratky]] [51] => [[Kategorie:Technologie číslicových obvodů]] [] => )
good wiki

PMOS

Integrovaný obvod PMOS pro hodiny z roku 1974 PMOS logika je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008.

More about us

About

Je známý svou schopností efektivně řídit elektrické signály a energii, což přispívá k rozvoji inovativních technologií. Tranzistory PMOS fungují na principu řízení toku elektrického proudu pomocí elektrického pole. Tento typ tranzistoru je obvykle použit v kombinaci s NMOS tranzistory, což vede k tvorbě CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologií. Tyto technologie jsou oblíbené pro svou nízkou spotřebu energie, vysokou integraci a spolehlivost, což usnadňuje výrobu efektivních a výkonných integrovaných obvodů. Díky svým jedinečným vlastnostem nachází PMOS tranzistory uplatnění v různých oblastech, jako jsou spotřební elektronika, telekomunikace a automobilový průmysl. Jejich schopnost fungovat při nízkých napětích a generovat méně tepla přispívá k ekologičtějším a udržitelnějším technologiím, které snižují energetickou náročnost a podporují ochranu životního prostředí. I přes výzvy, s nimiž se výrobcům PMOS technologií občas potýkají, jako je například miniaturizace a výkonové parametry, neustále se nacházejí nové cesty, jak tyto tranzistory zdokonalovat a přizpůsobovat potřebám moderního světa. Innovations v oblasti materiálů a výrobních procesů slibují zlepšení efektivity a funkčnosti, což otevírá dveře novým možnostem pro používání PMOS v budoucnu. V závěru, tranzistory PMOS představují důležitý prvek naší technologické krajiny, jejichž pozitivní přínos se odráží ve zlepšení životní úrovně a pohodlí ve světě. S jejich všeobecnou dostupností a neustálým pokrokem se dá očekávat, že i nadále budou hrát klíčovou roli v inovacích, které přinášejí užitek společnosti jako celku.

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'elektronová díra','integrovaný obvod','NMOS','Intel 4004','Intel 8008','elektron','Soubor:PMOS NOR corr.png','stejnosměrný proud','Kategorie:Technologie číslicových obvodů','polovodič','MOSFET','unipolární tranzistor'