Array ( [0] => 15483745 [id] => 15483745 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => Tranzistor [uri] => Tranzistor [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 0 [has_content] => 0 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => {{Různé významy|tento= elektrotechnické součástce|stránka=Tranzistorový přijímač}} [1] => {{neověřeno}} [2] => [[Soubor:Transistors.agr.jpg|náhled|vpravo|Tranzistory]] [3] => '''Tranzistor''' je třívrstvá [[polovodičová součástka]], kterou tvoří dvojice [[přechod PN|přechodů PN]].{{doplňte zdroj}} Tranzistory jako samostatné součástky se používají jako [[zesilovač]]e, [[spínač]]e a [[Hradlo NOT|invertory]]. Dále jsou tranzistory základem [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]], např. počítačových [[mikroprocesor|procesorů]] a [[elektronická paměť|pamětí]]. [4] => [5] => Funkce tranzistoru je založena na [[Tranzistorový jev|tranzistorovém jevu]] (efektu), který byl objeven a tranzistor vynalezen [[16. prosinec|16. prosince]] [[1947]] v [[Bellovy laboratoře|Bellových laboratořích]] týmem ve složení [[William Shockley]], [[John Bardeen]] a [[Walter Brattain]].{{doplňte zdroj}} Za tento objev jim byla roku [[1956]] udělena [[Nobelova cena]] [[Nobelova cena za fyziku|za fyziku]]. Tranzistory postupně nahradily užívání [[Elektronka|elektronek]] ve funkci hlavních, tzv. aktivních součástek v [[Elektronika|elektronických]] obvodech. Výrazně menší a energeticky úspornější tranzistory umožnily v 2. polovině 20. století velký rozvoj elektroniky a díky miniaturizaci zvláště [[Výpočetní technika|výpočetní techniky]]. [6] => [7] => == Základ činnosti == [8] => Základní vlastností tranzistoru je schopnost zesilovat – malé změny napětí nebo proudu na vstupu mohou vyvolat velké změny napětí nebo proudu na výstupu. [9] => [10] => Podle principu činnosti se rozlišují tranzistory [[Bipolární tranzistor|bipolární]] a [[Unipolární tranzistor|unipolární]]. Polovodičové přechody tranzistoru vytvářejí strukturu odpovídající spojení dvou [[Dioda|diod]] v jedné součástce, většinu vlastností tranzistoru však dvojicí diod nahradit nelze. Každý tranzistor má minimálně tři [[elektroda|elektrody]], které se u bipolárních tranzistorů označují jako '''kolektor''' ('''C''', příp. '''K'''), '''báze''' ('''B''') a '''[[emitor]]''' ('''E'''), u unipolárních jako '''drain''' ('''D'''), '''gate''' ('''G''') a '''source''' ('''S'''). Podle uspořádání použitých [[polovodič]]ů typu ''P'' nebo ''N'' se rozlišují dva typy bipolárních tranzistorů, NPN a PNP (prostřední písmeno odpovídá ''bázi''). Unipolární tranzistory se rozlišují na N-FET a P-FET. [11] => [12] => == Základní typy tranzistorů == [13] => * '''[[Bipolární tranzistor|Bipolární]]''' – (BJT – Bipolar Junction Transistor) Jsou řízeny proudem tekoucím do báze. [14] => * '''[[Unipolární tranzistor|Unipolární]]''' – (FET – Field Effect Transistor) Jsou řízeny napětím (elektrostatickým polem) na řídící elektrodě (gate). [15] => **'''[[JFET]]''' – (Junction FET) Řídící elektroda je tvořena závěrně polarizovaným přechodem PN. [16] => ** '''[[MESFET]]''' – (Metal Semiconductor FET) Řídící elektroda je tvořena závěrně polarizovaným přechodem [[Kovy|kov]]–[[Polokovy|polokov]]. [17] => ** '''[[MOSFET]]''' – (Metal Oxide Semiconductor FET) Řídící elektroda je izolována od zbytku tranzistoru oxidem. Jejich výkonnostní varianty mají mezi Drain a Body takzvanou body diodu, která jím pomáhá zvládat napěťové špičky opačného napětí způsobené rychlým rozpojováním induktoru např. motoru (pro jehož řízení se často používají) [18] => ** '''[[MISFET]]''' – (Metal Insulated Semiconductor FET) Obecný název pro tranzistor s izolovanou řídící elektrodou. Izolantem nemusí být jen oxid (např. nitrid…). [19] => [20] => == Schematické značení tranzistorů == [21] => [22] => Pro označování tranzistorů v elektrotechnických schématech se používají následující [[Schematická značka|schematické značky]]: [23] => [24] => {| cellpadding="10" cellspacing="0" style="font-size: 85%; border: 1px solid #000000;" [25] => |- align="center" [26] => | colspan="2" |bipolární [27] => | colspan="4" |unipolární [28] => | colspan="2" |kombinace unipolární a bipolární [29] => |- align="center" [30] => | typ [31] => | || kanál || JFET || MOSFET
s indukovaným kanálem || MOSFET
s vodivým kanálem [32] => |kanál, typ [33] => |IGBT [34] => |- align = "center" [35] => | NPN: || [[Soubor:BJT NPN symbol.svg|80px]] || P: || [[Soubor:JFET P-Channel Labelled corr.svg|80px]] || [[Soubor:IGFET P-Ch Enh Labelled corr.svg|80px]] || [[Soubor:IGFET P-Ch Dep Labelled corr.svg|80px]] [36] => |P, NPN: [37] => |[[Soubor:IGBT symbol.svg|80px]] [38] => |- align = "center" [39] => | PNP: || [[Soubor:BJT PNP sv symbol.svg|80px]] || N: || [[Soubor:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]] || [[Soubor:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|80px]] || [[Soubor:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|80px]] [40] => |N, PNP: [41] => | [42] => |} [43] => [44] => == Rozdělení tranzistorů podle výkonu == [45] => * '''běžné tranzistory''': slouží pro zpracování signálu (ať už jako jednotlivé „diskrétní“ součástky, či součástky v [[čip]]ech a mikročipech [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]]), jsou dnes základním prvkem spotřební i nespotřební elektroniky (televize, rádia, počítače, mobilní telefony…). Běžné tranzistory obvykle zpracovávají signál v jednotkách voltů. Proud přitom bývá nejvýše v řádu miliampérů. Snahou od počátku je a zůstává minimalizace jak obou elektrických veličin, tak ztrát energie v součástce a z toho vyplývající efektivita zpracování informace. [46] => [47] => * '''výkonové tranzistory''': jsou klíčovým prvkem používaným ve [[výkonová elektronika|výkonové elektronice]], například v oblasti [[spínaný zdroj|spínaných zdrojů]] nebo [[frekvenční měnič|frekvenčních měničů]]. Výkonová elektronika je rovněž klíčová při realizaci moderních zdrojů světla ([[kompaktní zářivka|úsporná žárovka]], [[LED]]), moderních trakčních vozidel s [[asynchronní motor|asynchronními motory]], hybridních automobilů a elektromobilů, fotovoltaických a větrných elektráren. Současné výkonové tranzistory (viz [[IGBT]]) jsou schopny ve spínacím režimu pracovat s napětím až v řádu kilovoltů a s proudy v řádu stovek nebo tisíců ampér. [48] => [49] => * '''středně výkonné tranzistory''': mezi běžnými a výkonovými tranzistory – často jak parametry, tak fyzickou funkcí – jsou provozované v lineárním režimu a používají se například pro lineární regulátory napětí nebo pro výkonové stupně audiozesilovačů. [50] => [51] => == Odkazy == [52] => [53] => === Literatura === [54] => * [[Juraj Valsa|Valsa J]].: Teoretická elektrotechnika I; VUT Brno, 1997 [55] => * Brančík L.: Elektrotechnika I; VUT Brno [56] => * Dědková J: Elektrotechnický seminář; VUT Brno [57] => * Musil V., Brzobohatý J., Boušek J., Prchalová I.: Elektronické součástky; VUT Brno, 1996 [58] => * Mikulec M., Havlíček V.: Základy teorie elektrických obvodů 1; ČVUT, 1997 [59] => * Stránský J. a kol.: Polovodičová technika I – učebnice pro elektrotechnické fakulty; SNTL; 1982 [60] => * Blahovec A.: Elektrotechnika I; Informatorium, 1997 [61] => * Blahovec A.: Elektrotechnika II; Informatorium, 1997 [62] => * Blahovec A.: Elektrotechnika III; Informatorium, 1997 [63] => * Maťátko J.: Elektronika; Idea Servis, 1997 [64] => * Syrovátko M.: Zapojení s polovodičovými součástkami; SNTL, 1987 [65] => * {{Citace monografie [66] => | příjmení = Frohn M., Oberthür W. a kol. [67] => | jméno = [68] => | titul = Elektronika – polovodičové součástky a základní zapojení [69] => | vydavatel = [[BEN - technická literatura]] [70] => | místo = Praha [71] => | rok = 2006 [72] => | isbn = 80-7300-123-3 [73] => }} [74] => * Vobecký J., Záhlava V.: Elektronika – součástky a obvody, principy a příklady; Grada Publishing; 2001 [75] => * {{Citace monografie [76] => | příjmení = Doleček [77] => | jméno = J. [78] => | titul = Moderní učebnice elektroniky 1. část [79] => | vydavatel = [[BEN - technická literatura]] [80] => | místo = Praha [81] => | rok = 2005 [82] => | isbn = 80-7300-146-2 [83] => }} [84] => * {{Citace monografie [85] => | příjmení = Doleček [86] => | jméno = J. [87] => | titul = Moderní učebnice elektroniky 2. část [88] => | vydavatel = BEN - technická literatura [89] => | místo = Praha [90] => | rok = 2005 [91] => | isbn = 80-7300-161-6 [92] => }} [93] => * {{Citace monografie [94] => | příjmení = Doleček [95] => | jméno = J. [96] => | titul = Moderní učebnice elektroniky 3. část [97] => | vydavatel = BEN - technická literatura [98] => | místo = Praha [99] => | rok = 2005 [100] => | isbn = 80-7300-184-5 [101] => }} [102] => * {{Citace monografie [103] => | příjmení = Doleček [104] => | jméno = J. [105] => | titul = Moderní učebnice elektroniky 4. část [106] => | vydavatel = BEN - technická literatura [107] => | místo = Praha [108] => | rok = 2006 [109] => | isbn = 80-7300-185-3 [110] => }} [111] => [112] => === Související články === [113] => * [[Tranzistorový přijímač]] [114] => * [[Bipolární tranzistor]] [115] => * [[Unipolární tranzistor]] [116] => * [[Základní zapojení tranzistoru]] [117] => * [[Fototranzistor]] [118] => * [[Integrovaný obvod]] [119] => * [[Tyristor]] [120] => * [[Relé]] [121] => * [[Reostat]] [122] => [123] => === Externí odkazy === [124] => * {{Commonscat}} [125] => * {{Wikislovník|heslo=tranzistor}} [126] => * [[:b:Praktická_elektronika/BJT_Tranzistory|Bipolární tranzistor]] v učebnici Praktická elektronika ve [[Wikiknihy|Wikiknihách]] [127] => [128] => {{Autoritní data}} [129] => [130] => [[Kategorie:Tranzistory]] [131] => [[Kategorie:Slova vzniklá blendingem]] [132] => [[Kategorie:Polovodičové součástky]] [] => )
good wiki

Tranzistor

Tranzistory Tranzistor je třívrstvá polovodičová součástka, kterou tvoří dvojice přechodů PN. Tranzistory jako samostatné součástky se používají jako zesilovače, spínače a invertory.

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'Bipolární tranzistor','Unipolární tranzistor','integrovaný obvod','Soubor:BJT PNP sv symbol.svg','Kategorie:Polovodičové součástky','Soubor:JFET P-Channel Labelled corr.svg',':b:Praktická_elektronika/BJT_Tranzistory','Kategorie:Tranzistory','Integrovaný obvod','Relé','MOSFET','Základní zapojení tranzistoru'

Kategorie:Tranzistory

MOSFET

Relé