Array ( [0] => 15510191 [id] => 15510191 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => CMOS [uri] => CMOS [3] => Cmos impurity profile.PNG [img] => Cmos impurity profile.PNG [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 1 [has_content] => 1 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => [[Soubor:Static CMOS Inverter.png|vpravo|náhled|Zapojení invertoru (hradla realizujícího [[Negace|logickou negaci]]) realizované technologií CMOS.]] [1] => [[Soubor:CMOS NAND.png|vpravo|náhled|110px|Zapojení dvouvstupového (jedním vstupem je propojení vývodů A, druhým propojení vývodů B) logického členu [[logický člen#NAND|NAND]] realizované technologií CMOS.]] [2] => [3] => '''CMOS''' ({{Vjazyce2|en|''Complementary Metal–Oxide–Semiconductor''}}) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většina [[Logický obvod|logických]] [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]], včetně [[mikroprocesor]]ů, [[Jednočipový počítač|jednočipových počítačů]] a [[elektronická paměť|elektronických pamětí]], ale také [[Analogový obvod|analogových obvodů]], jako jsou [[Obrazový snímač|snímače obrazu]], [[Konverze (informatika)|datové konvertory]], [[zesilovač]]e a [[transceiver]]y používané v [[telekomunikace|telekomunikacích]]. [4] => [5] => Nejdůležitějšími vlastnostmi obvodů CMOS je nízká [[Příkon|spotřeba]] a vysoká odolnost proti [[šum]]u. Z každého páru tranzistorů [[MOSFET]], z nichž je složeno hradlo, je vždy jeden v nevodivém stavu, proto mají obvody CMOS ve statickém stavu mnohem nižší spotřebu energie než obvody [[NMOS]] nebo [[TTL (logika)|TTL]] a produkují mnohem méně odpadního tepla; více energie se spotřebovává pouze při přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem [[tranzistor]]ů. Velmi jednoduchá struktura logických členů a absence rezistorů umožňuje dosažení [[Very-large-scale integration|vysoké hustoty prvků]] na [[čip]]u. Hlavní nevýhodu – nízkou rychlost prvních řad obvodů CMOS – se podařilo odstranit díky miniaturizaci a vylepšené technologii výroby. [6] => [7] => Výraz komplementární ({{Cizojazyčně|en|''complementary''}} nebo někdy {{Cizojazyčně|en|''complementary-symetric''}}) vyjadřuje, že logické členy jsou vytvářeny dvojicemi doplňujících se tranzistorů [[MOSFET]] typu ''n'' a ''p''. Zbytek zkratky „{{Cizojazyčně|en|''metal-oxid-semiconductor''}}“ odkazuje na způsob realizace [[řídicí elektroda|řídicí elektrody]] tvořené u prvních obvodů [[hliník]]em odizolovaném tenkou vrstvou [[Oxid křemičitý|oxidu křemičitého]] od vodivého kanálu z [[polovodič]]e. Zkratky MOS a CMOS se používaly, i když se dlouhou dobu – až do [[65nm]] technologie – používal na řídicí elektrody jiný materiál, [[polykrystal]]ický křemík. Po roce 2010 od technologie [[45nm]] se podle oznámení firem [[IBM]] a [[Intel]] kovové elektrody s [[high-k]] [[dielektrikum|dielektriky]] opět používají. [8] => [9] => == Historie == [10] => CMOS obvody byly vynalezeny roku [[1963]] a patentovány roku [[1967]] (patent 3,356,858) [[Frank Wanlass|Frankem Wanlassem]] ze společnosti [[Fairchild Semiconductor]]. První integrované obvody byly vyrobeny roku [[1968]] v [[RCA]] pod vedením [[Albert Medwin|Alberta Medwina]]. [11] => [12] => Původně byl pro řídicí elektrodu používán [[hliník]], později byl nahrazen [[polykrystal]]ickým křemíkem, který je odolnější proti vysokým teplotám. [13] => [14] => == Proces výroby == [15] => [[Soubor:CMOS fabrication process.svg|náhled|150px|Zjednodušený proces výroby CMOS invertoru na substrátu tvořeném polovodičem typu P. Elektrody G, S a D u reálných obvodů nejsou ve stejné rovině diagram není v měřítku.]] [16] => Proces výroby CMOS obvodů je znázorněn na obrázku vpravo: [17] => [18] => # Pokrytí desky vyříznuté z [[monokrystal]]u křemíku silnou vrstvou [[Oxid křemičitý|oxidu křemičitého]] [19] => # Vyleptání oxidu pro vytvoření P-MOSFET [20] => # Vytvoření N-studny (vany) [21] => # Vyleptání oxidu pro vytvoření N-MOSFET [22] => # Pokrytí desky tenkou vrstvou [[Oxid křemičitý|oxidu křemičitého]] pro vytvoření izolace pod řídicími elektrodami (G – gate) [23] => # Uložení silně [[Dotace|dotovaného]] [[polykrystal]]ického křemíku tvořícího elektrody G [24] => # Vyleptání oxidu a polykrystalického křemíku [25] => # Vytvoření oblastí pro elektrody S a D difúzním [[dotace|dotováním]] základního materiálu [26] => # Pokrytí [[Nitrid křemičitý|nitridem křemičitým]] [27] => # Vyleptání nitridu [28] => # Pokrytí kovem pro vytvoření elektrod a jejich propojení [29] => # Vyleptání kovu [30] => [31] => == Generace podle velikosti == [32] => Jednotlivé generace technologie CMOS se označují jedním číslem představujícím šířku hradla tranzistorů na čipu. Minimální velikost hradla je nižší, naopak [[vlnová délka]] [[světlo|světla]] použitého při procesu může být díky různým efektům vyšší. [33] => [34] => Čím menší velikost, tím nižší je možné používat napětí (čímž se snižuje spotřeba) a tím je možné dosáhnout vyšších frekvencí. [35] => [36] => ; 10 µm [37] => ; 3 µm [38] => ; 1.5 µm [39] => ; 1 µm [40] => ; 800 nm (0,80 µm) [41] => : Používá se například na [[Intel 80486]]. [42] => ; 600 nm (0,60 µm) [43] => ; 350 nm (0,35 µm) [44] => ; 250 nm (0,25 µm) [45] => ; 180 nm (0,18 µm) [46] => : První technologie „menší“ než vlnová délka použitého světla (193 nm). [47] => : Používalo se například na většinu [[Intel Pentium III]]. [48] => ; 130 nm (0,13 µm) [49] => : Rok 2002; použito pro [[Intel Pentium IV]] (55 miliónů tranzistorů, 1,6 GHz, min. 1,5 V) [50] => ; 90 nm [51] => : Rok 2003 (min. 1,2 V) [52] => ; 65 nm [53] => : Min. 0,9 V; V roce [[2007]] nejčastěji používaná technologie. Používalo se světlo vlnových délek 193 nm a 248 nm. Šířka elektrody je pouhých 1,2 nm, což je jen několik atomů – dochází tedy k [[Tunelový jev|tunelovému jevu]]. [54] => : Použito například na [[Intel Pentium IV]] nebo [[AMD Athlon 64]]. [55] => ; 45 nm [56] => : Rok 2011; min. 0,6 V; 3 GHz [57] => ; 32 nm [58] => : Použito například na Intel Core 2. generace [[Sandy Bridge]]. [59] => ; 22 nm [60] => : Použito například na Intel Core 3. generace [[Ivy Bridge]]. [61] => ; 14 nm [62] => : Rok 2014; Intel Core - [[Broadwell]], poté v roce 2015 [[Skylake]] a v roce 2017 [[Kaby Lake]] [63] => ; 7 nm [64] => : Teoretická hranice čistě křemíkových čipů. Pod touto hranicí dochází k manifestaci kvantového tunelování. [65] => :Rok 2018; Apple A12 Bionic, AMD architektura ZEN2 [66] => :Rok 2020; AMD architektura ZEN3 [67] => [68] => == Odkazy == [69] => [70] => === Reference === [71] => {{překlad|en|CMOS|132910144}} [72] => [73] => === Literatura === [74] => * Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 – 1. díl – řada 4000 až 4099, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, {{ISBN|80-7300-167-5}} [75] => * Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 – 2. díl – řada 41xx, 43xx, 45xx, 40xxx, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, {{ISBN|80-7300-168-3}} [76] => [77] => === Související články === [78] => * [[Seznam logických integrovaných obvodů řady CMOS 4000]] [79] => * [[BSI CMOS]] [80] => * [[Foveon X3]] [81] => [82] => === Externí odkazy === [83] => * {{Commonscat}} [84] => [85] => {{Logické obvody}} [86] => {{Pahýl}} [87] => {{Autoritní data}} [88] => [89] => [[Kategorie:Polovodiče]] [90] => [[Kategorie:Hardware]] [91] => [[Kategorie:Technologie číslicových obvodů]] [] => )
good wiki

CMOS

logickou negaci) realizované technologií CMOS. NAND realizované technologií CMOS.

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'Oxid křemičitý','polykrystal','Intel Pentium IV','BEN - technická literatura','MOSFET','hliník','65nm','tranzistor','Logický obvod','high-k','NMOS','mikroprocesor'

Hliník

Mikroprocesor

Mikroprocesor je integrovaný obvod, který slouží k provádění výpočtů a řízení elektronických zařízení.

MOSFET

NMOS

Polykrystal

Tranzistor