Array ( [0] => 15592837 [id] => 15592837 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => NMOS [uri] => NMOS [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 1 [has_content] => 1 [12] => **NMOS** NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor) je typ polovodičové technologie, která se široce využívá v moderních elektronických zařízeních. Tato technologie umožňuje výrobu vysoce efektivních a rychlých integrovaných obvodů, které přinášejí mnoho výhod do našeho každodenního života. Princip NMOS technologie spočívá v tom, že využívá n-typ polovodiče, což znamená, že přenos elekronů probíhá efektivněji ve srovnání s jinými technologiemi. To vede k vyšší rychlosti přepínání a nižší spotřebě energie, což je klíčové pro vývoj zařízení, jako jsou mobilní telefony, počítače a chytré domácnosti. Jedním z hlavních přínosů NMOS je jeho schopnost integrovat obrovské množství funkcí na malém čipu. Tím se zvyšuje výkon a snižuje velikost zařízení, což nám umožňuje mít výkonnou technologii přímo v našich kapsách. Díky neustálému pokroku v materiálech a výrobních procesech se NMOS obvody stávají stále dostupnějšími a přístupnějšími pro široké spektrum aplikací. NMOS také přispívá k ekologičtějšímu využívání technologií. Snížením energetické náročnosti elektronických zařízení se snižuje i jejich celkový dopad na životní prostředí. Vývoj v této oblasti nám dává naději na udržitelné inovace, které budou sloužit nejen současným, ale i budoucím generacím. I když každá technologie má své výzvy, NMOS nabízí optimistický pohled na budoucnost elektroniky. Tím, že pokračuje v evoluci a adaptaci, můžeme očekávat inovativní řešení, která zlepší naše životy a poskytnou nové příležitosti pro růst a rozvoj. [oai_cs_optimisticky] => **NMOS** NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor) je typ polovodičové technologie, která se široce využívá v moderních elektronických zařízeních. Tato technologie umožňuje výrobu vysoce efektivních a rychlých integrovaných obvodů, které přinášejí mnoho výhod do našeho každodenního života. Princip NMOS technologie spočívá v tom, že využívá n-typ polovodiče, což znamená, že přenos elekronů probíhá efektivněji ve srovnání s jinými technologiemi. To vede k vyšší rychlosti přepínání a nižší spotřebě energie, což je klíčové pro vývoj zařízení, jako jsou mobilní telefony, počítače a chytré domácnosti. Jedním z hlavních přínosů NMOS je jeho schopnost integrovat obrovské množství funkcí na malém čipu. Tím se zvyšuje výkon a snižuje velikost zařízení, což nám umožňuje mít výkonnou technologii přímo v našich kapsách. Díky neustálému pokroku v materiálech a výrobních procesech se NMOS obvody stávají stále dostupnějšími a přístupnějšími pro široké spektrum aplikací. NMOS také přispívá k ekologičtějšímu využívání technologií. Snížením energetické náročnosti elektronických zařízení se snižuje i jejich celkový dopad na životní prostředí. Vývoj v této oblasti nám dává naději na udržitelné inovace, které budou sloužit nejen současným, ale i budoucím generacím. I když každá technologie má své výzvy, NMOS nabízí optimistický pohled na budoucnost elektroniky. Tím, že pokračuje v evoluci a adaptaci, můžeme očekávat inovativní řešení, která zlepší naše životy a poskytnou nové příležitosti pro růst a rozvoj. ) Array ( [0] => '''NMOS logika''' ({{Vjazyce2|en|''N-type metal-oxide-semiconductor''}}) je technologie výroby [[číslicová technika|logických]] [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]], které pro realizaci [[logický člen|logických členů]] používají [[unipolární tranzistor]]y s indukovaným kanálem (v obohaceném režimu) typu N. [1] => [2] => Okolo roku 1975 získala NMOS logika dominantní postavení při výrobě složitých digitálních logických obvodů, především [[mikroprocesor]]ů, které si (ve vylepšené verzi [[HMOS]]) udržela až do konce 80. let 20. století, kdy byla nahrazena logikou [[CMOS]], která je sice výrobně složitější, ale umožňuje vytváření obvodů s vyšší integrací, nižší spotřebou a díky pokroku výroby a zmenšování rozměrů i větší rychlostí. V současnosti se již obvody NMOS téměř nepoužívají (s výjimkou specializovaných aplikací). [3] => [4] => == Zapojení hradel == [5] => {| class="floatright" [6] => |-Style="vertical-align:top" [7] => | [[Soubor:Nmos resitor and.svg|náhled|žádné|upright|Principiální zapojení hradla NAND tvořeného dvěma MOSFET s indukovaným kanálem N a se zátěží realizovanou rezistorem]] [8] => |[[Soubor:Nmos enhancement saturated nand.svg|náhled|žádné|upright|Hradlo NAND v NMOS se zatěžovacím tranzistorem T1 v obohaceném saturovaném režimu]] [9] => |-Style="vertical-align:top" [10] => |[[Soubor:Nmos enhancement non-saturated nand.svg|náhled|žádné|upright|Hradlo NAND v NMOS se zatěžovacím tranzistorem T1 v obohaceném nesaturovaném režimu s UGG = Uth+UDD]] [11] => | [[Soubor:Nmos depletion and.svg|náhled|žádné|upright|Hradlo NAND se zatěžovacím tranzistorem T1 se zabudovaným kanálem v [[Režim ochuzení|režimu ochuzení]] [[HMOS]]]] [12] => |} [13] => [14] => První písmeno „N“ zkratky NMOS vyjadřuje, že všechny [[unipolární tranzistor]]y, z nichž se skládají logické obvody NMOS, jsou s kanálem typu N. Písmeno „M“ vyjadřuje, že řídicí elektroda G byla původně kovová ({{Vjazyce2|en|''metal''}}, později však převládlo používání polykrystalického křemíku), „O“ znamená, že je tato elektroda oddělenou od polovodivého substrátu tenkou vrstvou [[oxid křemičitý|oxidu křemičitého]] (SiO2). [15] => [16] => První z obrázků vpravo znázorňuje princip zapojení hradla NAND v technologii NMOS tvořeného dvěma MOSFET s indukovaným n-kanálem a zatěžovacím odporem: pokud je na oba vstupy A a B přivedeno kladné napětí, tranzistory T1 a T2 se otevřou a výstup Y stáhnou k [[Uzemnění|zemi]] (nulovému napětí); ve všech ostatních případech bude alespoň jeden z tranzistorů zavřený a na výstupu Y bude díky rezistoru R kladné napětí. Chování obvodu lze shrnout následující tabulkou: [17] => [18] => {| class="wikitable" [19] => |+ NAND [20] => ! style="width:30px; text-align:center;" | A [21] => ! style="width:30px; text-align:center;" | B [22] => ! style="width:30px; text-align:center;" | Y [23] => |- align=center [24] => | 0 || 0 || 1 [25] => |- align=center [26] => | 0 || 1 || 1 [27] => |- align=center [28] => | 1 || 0 || 1 [29] => |- align=center [30] => | 1 || 1 || 0 [31] => |} [32] => [33] => Hradlo NOR lze realizovat podobně, výstupní elektrody D a S obou tranzistorů však nejsou zapojeny [[Sériové zapojení|sériově]], ale [[Paralelní zapojení|paralelně]]. [34] => [35] => Realizace zatěžovacího odporu na čipu však zabírá extrémně velkou plochu (srovnatelnou s plochou desítek tranzistorů). V praktickém provedení NMOS obvodů byl proto místo zatěžovacího odporu použit další tranzistor FET s indukovaným n-kanálem, tj. stejného druhu jako jsou spínací tranzistory. Pro výrobu hradla NAND pak dostačují čtyři masky. Zatěžovací tranzistor působí v  NMOS přibližně jako zdroj konstantního proudu, takže statická spotřeba je nižší než při použití zatěžovacího rezistoru s konstantní odporem. Při použití zatěžovacího tranzistoru v saturovaném režimu (druhý obrázek) má hradlo vyšší odběr a delší dobu přechodu do stavu logické nuly. [36] => [37] => Třetí obrázek ukazuje zapojení hradla NAND se zatěžovacím tranzistorem T1 s indukovaným n-kanálem v obohaceném nesaturovaném režimu. Při zachování počtu výrobních kroků má toto řešení nejlepší vlastnosti, nevýhodou je nutnost dvou (případně tří) napájecích napětí. [38] => [39] => Se zdokonalováním výrobních technologií bylo možné použít zatěžovací tranzistory s vodivým (vestavěným) kanálem, jak je znázorněno na čtvrtém obrázku. Výsledné obvody bývají označovány zkratkou [[HMOS]] ({{Vjazyce2|en|''High density, short channel MOS''}}). Jejich výhodou je potřeba pouze jednoho napájecího napětí a nižší ztráty, nevýhodou je o něco složitější výroba, protože pro vytvoření tranzistorů se zabudovaným kanálem (s vysokou impedancí) je zapotřebí alespoň pěti masek, tj. nejméně o jeden výrobní krok více, a poněkud větší plocha než pro spínací tranzistor. [40] => [41] => == Další unipolární technologie == [42] => [43] => === PMOS === [44] => Logika [[PMOS]], která využívá pouze tranzistory MOSFET s P-kanálem, byla díky jednodušší výrobě předchůdcem NMOS. Úlohu nosičů náboje plní u MOSFET s P-kanálem [[elektronová díra|díry]] (chybějící elektrony), které mají nižší pohyblivost než elektrony, proto je logika [[PMOS]] pomalejší než NMOS. [45] => [46] => === HMOS === [47] => Při použití [[unipolární tranzistor|unipolárních tranzistorů]] s vodivým (vestavěným) kanálem v [[Režim ochuzení|režimu ochuzení]] lze vytvářet obvody, kterým stačí jediné napájecí napětí, dosahují vyšší rychlosti, menších rozměrů struktur a vyšší hustotu integrace, na úkor složitější výroby. Obvody nazývané různými výrobci HMOS, X-MOS, S-MOS, apod. navázaly na obvody NMOS. [48] => [49] => === CMOS === [50] => Pokrok v technologii výroby unipolárních číslicových integrovaných obvodů umožnil vytvářet obvody CMOS kombinující tranzistory s p-kanálem a n-kanálem, které mají mnohem menší statickou spotřebu než obvody NMOS. Původní CMOS obvody byly velmi pomalé, zmenšování struktur však přineslo jejich významné zrychlení. [51] => [52] => == Odkazy == [53] => [54] => === Reference === [55] => {{Překlad|de|NMOS-Logik|135314854}} [56] => [57] => === Literatura === [58] => * {{Citace monografie [59] => | autor = Jerry C. Whitaker [60] => | titul = Microelectronics [61] => | vydání = 2 [62] => | vydavatel = CRC Press [63] => | rok = 2005 [64] => | isbn = 0849333911 [65] => }} [66] => * {{Citace monografie [67] => | autor = M. Glesner et. al. [68] => | titul = Vorlesungsskriptum - VLSI Design of Integrated Circuits [69] => | vydavatel = Darmstadt University of Technology [70] => | Online = [http://www.mes.tu-darmstadt.de/lectures/winter/vlsi/altes_skript.pdf PDF] [71] => | Kommentar = Skript nicht mehr online verfügbar [72] => }} [73] => * {{Citace monografie [74] => | autor = Christian Clemen [75] => | titul = NMOS-Inverter [76] => | Sammelwerk = Vorlesungsskriptum: Grundlagen der Mikroelektronik (WS 2000/2001) [77] => | rok = 2000 [78] => | vydavatel = Fachhochschule Augsburg [79] => | url = http://www.hs-augsburg.de/~clemen/lehre/mikro/3-1bis3-7.pdf [80] => }} [81] => [82] => === Související články === [83] => * [[PMOS]] [84] => * [[HMOS]] [85] => * [[CMOS]] [86] => [87] => === Externí odkazy === [88] => * {{Commonscat}} [89] => [90] => {{Logické obvody}} [91] => {{Autoritní data}} [92] => [93] => [[Kategorie:Zkratky]] [94] => [[Kategorie:Technologie číslicových obvodů]] [] => )
good wiki

NMOS

NMOS logika je technologie výroby logických integrovaných obvodů, které pro realizaci logických členů používají unipolární tranzistory s indukovaným kanálem (v obohaceném režimu) typu N. Okolo roku 1975 získala NMOS logika dominantní postavení při výrobě složitých digitálních logických obvodů, především mikroprocesorů, které si (ve vylepšené verzi HMOS) udržela až do konce 80.

More about us

About

Tato technologie umožňuje výrobu vysoce efektivních a rychlých integrovaných obvodů, které přinášejí mnoho výhod do našeho každodenního života. Princip NMOS technologie spočívá v tom, že využívá n-typ polovodiče, což znamená, že přenos elekronů probíhá efektivněji ve srovnání s jinými technologiemi. To vede k vyšší rychlosti přepínání a nižší spotřebě energie, což je klíčové pro vývoj zařízení, jako jsou mobilní telefony, počítače a chytré domácnosti. Jedním z hlavních přínosů NMOS je jeho schopnost integrovat obrovské množství funkcí na malém čipu. Tím se zvyšuje výkon a snižuje velikost zařízení, což nám umožňuje mít výkonnou technologii přímo v našich kapsách. Díky neustálému pokroku v materiálech a výrobních procesech se NMOS obvody stávají stále dostupnějšími a přístupnějšími pro široké spektrum aplikací. NMOS také přispívá k ekologičtějšímu využívání technologií. Snížením energetické náročnosti elektronických zařízení se snižuje i jejich celkový dopad na životní prostředí. Vývoj v této oblasti nám dává naději na udržitelné inovace, které budou sloužit nejen současným, ale i budoucím generacím. I když každá technologie má své výzvy, NMOS nabízí optimistický pohled na budoucnost elektroniky. Tím, že pokračuje v evoluci a adaptaci, můžeme očekávat inovativní řešení, která zlepší naše životy a poskytnou nové příležitosti pro růst a rozvoj.

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'unipolární tranzistor','PMOS','HMOS','CMOS','oxid křemičitý','Soubor:Nmos enhancement non-saturated nand.svg','Uzemnění','Soubor:Nmos resitor and.svg','číslicová technika','integrovaný obvod','logický člen','mikroprocesor'