Array ( [0] => 15526547 [id] => 15526547 [1] => cswiki [site] => cswiki [2] => SRAM [uri] => SRAM [3] => [img] => [4] => [day_avg] => [5] => [day_diff] => [6] => [day_last] => [7] => [day_prev_last] => [8] => [oai] => [9] => [is_good] => [10] => [object_type] => [11] => 1 [has_content] => 1 [12] => [oai_cs_optimisticky] => ) Array ( [0] => {{Přesnost}} [1] => [2] => '''SRAM''' (''statická paměť'', {{Vjazyce2|en|''Static Random Access Memory''}}) je v [[Informatika|informatice]] označení [[Polovodičová paměť|polovodičové paměti]] typu [[RAM]] realizované [[Multivibrátor|bistabilním]] [[Klopný obvod|klopným obvodem]]. Označení ''statická'' se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených [[Data|dat]] (na rozdíl od paměti typu [[DRAM]]). SRAM je velmi rychlá, ale kvůli vyšší složitosti i drahá, a proto je v počítačích používána například jako [[cache|hardwarová cache]] v [[mikroprocesor]]u (tj. její velikost je výrazně menší než velikost [[Operační paměť|operační paměti]] [[RAM]]). [3] => [4] => Termín ''SRAM'' obvykle označuje volatilní paměť (po odpojení [[napájení (elektrotechnika)|napájení]] zapomene svůj obsah). Paměť SRAM má v klidovém stavu velmi nízkou spotřebu, takže pokud potřebujeme nevolatilní RAM, lze toho dosáhnout malou pomocnou [[Elektrická baterie|baterií]], která napájí RAM po odpojení počítače od [[Napájecí zdroj (počítač)|zdroje]]. Nevýhodou je, že baterii bývá nutné po několika letech vyměnit, zatímco životnost SRAM je mnohem delší. V současnosti (2016) již existují technologie pro nevolatilní RAM, ale zatím nejsou příliš rozšířené. [5] => [6] => == Charakteristika == [7] => Paměťová buňka SRAM je zapojena jako [[Multivibrátor|bistabilní]] [[klopný obvod]], který pro uchování 1 [[bit]]u informace potřebuje čtyři až šest [[tranzistor]]ů (viz obrázky níže). Oproti tomu paměť [[DRAM]] využívá parazitní kapacity ([[kondenzátor]]) a pro uchování 1 bitu potřebuje jen jeden tranzistor, takže při stejné hustotě integrace má DRAM mnohem větší kapacitu než paměť typu SRAM. Proto je paměť SRAM dražší než DRAM. [8] => [9] => Paměť typu SRAM (na rozdíl od paměti [[DRAM]]) nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat, protože [[Multivibrátor|bistabilní]] [[klopný obvod]] při připojeném napájení udržuje svůj stav. Naopak u paměti DRAM se [[elektrický náboj]] uložený v kondenzátorech vybíjí svodovými proudy, a proto je obsah paměti DRAM nutné periodicky obnovovat. Během obnovování uložené informace není paměť typu DRAM dostupná pro čtení, a proto je přístupová doba paměti typu SRAM kratší než DRAM. [10] => [11] => Paměť SRAM má v klidovém stavu nižší spotřebu než DRAM (není potřeba obnovovat náboj v kondenzátorech). [12] => [13] => == Aplikace a použití == [14] => [[Soubor:STM32-SEM-HD.jpg|náhled|SRAM buňky na [[Die (integrovaný obvod)|destičce]] v [[Jednočipový počítač|mikrokontroléru]] STM32F103VGT6, jak jsou vidět v [[Rastrovací elektronový mikroskop|rastrovacím elektronovém mikroskopu]]. Vyrobil STMicroelectronics pomocí 180 [[Metr#Nanometr|nm]] procesu.]] [15] => [[Soubor:STM32F103VGT6-SRAM.jpg|náhled|Stejný pohled na [[Die (integrovaný obvod)|destičku]] 180 [[Metr#Nanometr|nm]] SRAM buňky v [[Jednočipový počítač|mikrokontroléru]] STM32F103VGT6, jak jsou vidět v [[Mikroskop|optickém mikroskopu]].]] [16] => [17] => Na přiložených obrázcích jsou vyobrazeny buňky paměti SRAM pomocí [[Rastrovací elektronový mikroskop|rastrovacího elektronového mikroskopu]] a [[Mikroskop|optického mikroskopu]]. [18] => [19] => === Vlastnosti === [20] => SRAM je dražší a méně kompaktní než DRAM. Proto je SRAM používána v menších kapacitách (například [[Cache|hardwarová cache]] v [[mikroprocesor]]u) než DRAM (například hlavní [[Počítačová paměť|paměti]] v [[Osobní počítač|osobních počítačích]]). [21] => [22] => ==== Taktovací frekvence a příkon ==== [23] => Spotřeba energie SRAM se různí podle toho, jak často je k ní přistupováno. Při použití s vysokou taktovací frekvencí a paměťových operacích v maximální rychlosti může být energeticky stejně náročná jako dynamická RAM. Na druhou stranu, pokud je SRAM provozována při nižší taktovací frekvenci, jako například v aplikacích s mírně taktovanými mikroprocesory, spotřebovává velmi málo energie a může mít téměř zanedbatelný příkon, i v rozmezí několika [[Watt|mikrowattů]], je-li v nečinnosti. Bylo navrženo několik technik pro řízení spotřeby energie SRAM pamětí.[https://www.academia.edu/5010517/A_Survey_of_Architectural_Techniques_For_Improving_Cache_Power_Efficiency A Survey of Architectural Techniques For Improving Cache Power Efficiency]", S. Mittal, SUSCOM, 4(1), 33-43, 2014 [24] => [25] => Statická RAM se vyrábí především jako: [26] => * všeobecné výrobky [27] => ** s ''asynchronním'' rozhraním, například všudypřítomné 28pinové 8×8 a 32×8 čipů [28] => ** se ''synchronním'' rozhraním, obvykle používané pro cache a další aplikace vyžadující shlukové přenosy, a to až na 18 Mbit (256K×72)/čip [29] => * integrované čipy [30] => ** RAM nebo vyrovnávací paměť v mikrořadiči (obvykle kolem 32 bajtů až 128 KB) [31] => ** primární cache a nejvýkonnější mikroprocesory, například rodina [[x86]] a mnoho dalších (od 8 KB do mnoha MB) [32] => ** pro uložení registrů a částí strojů, které se používají u některých mikroprocesorů (viz [[Register file|soubor registrů]]) [33] => ** konkrétní aplikace [[Integrovaný obvod|integrovaných obvodů]] nebo [[Zákaznický integrovaný obvod|zákazníckých obvodů]] (obvykle v řádu kilobajtů) [34] => ** v [[Programovatelné hradlové pole|programovatelných hradlových polích]] a CPLD [35] => [36] => ==== V počítačích ==== [37] => SRAM se také používá v osobních počítačích, pracovních stanicích, směrovačích a periferních zařízeních: [[Register file|soubory registrů]] v CPU, interní cache v CPU, externí SRAM cache, cache v [[pevný disk|pevném disku]], paměť v [[router]]ech. Statickou paměť mohou používat i [[Displej z tekutých krystalů|LCD obrazovky]] a [[Počítačová tiskárna|počítačové tiskárny]]. Statická RAM byla použita pro hlavní paměť v některých prvních osobních počítačů jako [[ZX80]], [[TRS-80 Model 100]] a [[Commodore VIC-20]]. [38] => [39] => == Druhy SRAM == [40] => [41] => === Nevolatilní SRAM === [42] => Nevolatilní SRAM (nvSRAM) mají standardní funkce SRAM, ale uchovají obsažená data, když dojde ke ztrátě napájení, proto jsou používány pro uchovávání důležitých informací. nvSRAM jsou používány v celé řadě situací, například pro vytváření sítí, v letectví, lékařství a mnoha dalších, kde je uchování dat je zásadní a kde baterie jsou nepraktické.{{Cite book|title=Computer organization.|publisher=McGraw-Hill|location=[S.l.]|isbn=0-07-114323-8|edition=4th}} [43] => [44] => === Podle typu tranzistoru === [45] => * [[Bipolární tranzistor]] (používá se v [[TTL (logika)|TTL logice]] a ECL) je velmi rychlá, ale spotřebuje hodně energie [46] => *[[MOSFET]] (používá se v [[CMOS]]) má nízký výkon, ale dnes velmi časté [47] => [48] => === Podle typu === [49] => * Asynchronní – existuje od dob procesoru [[Intel 80386]] a stále se nachází v [[Cache|L2 cache]] mnoha počítačů. Nazývá se asynchronní, protože není synchronizována se systémovými hodinami, a proto mikroprocesor musí na data vyžádaná z paměti cache L2 čekat. [50] => * [[Synchronizace|Synchronní]] – podobně jako SDRAM je synchronní SRAM synchronizována se systémovými hodinami, takže je s přístupovou dobou cca 8,5 [[Sekunda|ns]] rychlejší než asynchronní SRAM. Bohužel, synchronní SRAM se nevyrábí v dostatečně velkém množství, aby se snížila její cena a postrádá schopnost synchronizace se sběrnicí na frekvenci vyšší než 66 MHz. [51] => [52] => Kolem roku 1990 byly asynchronní SRAM používány pro rychlý přístup. Asynchronní SRAM byly použity jako [[Elektronická paměť|hlavní paměť]] pro malé cache vestavěných procesorů, které byly použity ve všem od průmyslové elektroniky, měřících systémů, [[Pevný disk|pevných disků]] a síťových zařízení po mnoha další aplikace. V dnešní době synchronní SRAM (např. DDR SRAM) jsou spíše použity podobně jako synchronní DRAM ([[DDR SDRAM]]) a paměť slouží spíše jak asynchronní DRAM (dynamická paměť). Synchronní paměťové rozhraní má mnohem rychlejší přístupovou dobu, může být významně snížena tím, že zaměstná sběrnice architektury. [53] => [54] => === Podle funkce === [55] => * ZBT (zkratka ze Zero Bus Turnaround) – [56] => počet cyklů, které je zapotřebí čekat mezi přístupem pro čtení a zápis a naopak, je nulový. Tj. bezprostředně po čtecím cyklu může následovat zápisový a po něm opět okamžitě čtecí. [57] => * DDR SRAM – synchronní, jeden port pro čtení a zápis, dvojitá rychlost I/O [58] => * Quad Data Rate SRAM – synchronní, samostatné čtecí a zápisové porty, čtyřnásobná rychlost přenosu dat I/O [59] => [60] => === Flip-flop typ === [61] => * Binární SRAM [62] => * Ternární SRAM [63] => [64] => == Design == [65] => [[Soubor:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg|náhled|[[Tranzistor|Šestitranzistorová]] CMOS SRAM buňka.]] [66] => [[Soubor:4T_SRAM_Cell.png|náhled|[[Tranzistor|Čtyřtranzistorová]] buňka SRAM je výhodnější z hlediska vyšší dosažitelné hustoty a nižších výrobních nákladů. [[Rezistor]]y musejí mít malé rozměry a velké hodnoty.]] [67] => [68] => Typická buňka SRAM je tvořena šesti tranzistory typu [[MOSFET]]. Každý [[bit]] v paměti SRAM je uložen na čtyři [[tranzistor]]y (M1, M2, M3, M4), kteří tvoří dvě křížové spojení měřiče. Tato skladovací buňka má dva stabilní stavy, které jsou použity k označení '''0''' a '''1'''. Další dva ''přístupové'' tranzistory slouží k řízení přístupu k paměťové buňce během čtení a zápisu. Kromě tohoto typu SRAM jsou další druhy čipů SRAM například 4, 8, 10 (4T, 8T, 10T SRAM).[http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/4/4317684/04317699.pdf?arnumber=4317699 A 160 mV Robust Schmitt Trigger Based Subthreshold SRAM]United States Patent 6975532: [http://www.freepatentsonline.com/6975532.html Quasi-static random access memory]{{Citace elektronického periodika |titul= |url=http://ietele.oxfordjournals.org/cgi/content/abstract/E90-C/10/1949 |datum přístupu=2016-05-24 |url archivu=https://web.archive.org/web/20081205085037/http://ietele.oxfordjournals.org/cgi/content/abstract/E90-C/10/1949 |datum archivace=2008-12-05 |nedostupné=ano }} Čtyřtranzistorová SRAM je docela běžná v samostatných zařízeních SRAM (oproti SRAM používané pro CPU cache), realizované ve speciálních procesech s extra vrstvou polykrystalického křemíku, což umožňuje velmi vysokou hodnotu [[Pull up rezistor]]u.{{Cite book|last1=Preston|first1=Ronald P.|chapter=14: Register Files and Caches|chapterurl=http://courses.engr.illinois.edu/ece512/Papers/Preston_2001_CBF.pdf|year=2001|title=The Design of High Performance Microprocessor Circuits|publisher=IEEE Press|page=290}}. Obecně platí, že čím méně tranzistorů na buňku, tím menší každá buňka může být. [69] => [70] => Paměťové buňky, které používají méně než čtyři tranzistory jsou možné – ale například 3TUnited States Patent 6975531: [http://www.freepatentsonline.com/6975531.html 6F2 3-transistor DRAM gain cell][http://www.tezzaron.com/technology/3T-iRAM.htm 3T-iRAM(r) Technology] nebo 1T buňky jsou [[DRAM]], SRAM (dokonce i takzvané 1T-SRAM). [71] => [72] => Přístup k buňce je povolen ve word line (WL na obrázku), který řídí dva ''přístupové'' tranzistory M5 a M6, které podle pořadí určí, zda by se buňka měla připojit k řádkům bitů: BL a BL. Používají se k přenosu dat pro operaci čtení a zápisu. I když to není nezbytně nutné mít dvě linky, signál a jeho inverze jsou obvykle poskytovány za účelem zlepšení hlukového rozpětí. [73] => [74] => == SRAM operace == [75] => SRAM buňka má tři různé stavy: úsporný režim (obvod je nečinný), ''čtení'' (data byla vyžádána) nebo ''zápis'' (aktualizace obsahu). SRAM pracující v režimu čtení a zápisu, režimy by měly mít „čitelnost“ a "zápis stability". [76] => [77] => == Reference == [78] => [79] => [80] => == Související články == [81] => * [[DRAM]], která také zahrnuje PSRAM (pseudo-statickou RAM) [82] => * [[Flash paměť]] [83] => * [[Tranzistor]] [84] => * Miniaturní karta, přerušení SRAM paměťové karty standardní [85] => [86] => == Externí odkazy == [87] => * {{Commonscat}} [88] => * [http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML Druhy pamětí] [89] => {{Autoritní data}} [90] => [91] => [[Kategorie:Počítačová paměť]] [92] => [[Kategorie:Zkratky]] [] => )
good wiki

SRAM

SRAM (statická paměť) je v informatice označení polovodičové paměti typu RAM realizované bistabilním klopným obvodem. Označení statická se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat (na rozdíl od paměti typu DRAM).

More about us

About

Expert Team

Vivamus eget neque lacus. Pellentesque egauris ex.

Award winning agency

Lorem ipsum, dolor sit amet consectetur elitorceat .

10 Year Exp.

Pellen tesque eget, mauris lorem iupsum neque lacus.

You might be interested in

,'DRAM','Multivibrátor','RAM','klopný obvod','mikroprocesor','Register file','Cache','MOSFET','tranzistor','bit','Soubor:STM32-SEM-HD.jpg','Data'

Bit

Cache

Data

DRAM

Mikroprocesor

Mikroprocesor je integrovaný obvod, který slouží k provádění výpočtů a řízení elektronických zařízení.

MOSFET

RAM

Tranzistor